【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种自举电路，用于向半桥IGBT装置的高侧IGBT提供栅极?发射极电压，所述自举电路包括降压?升压电路，该降压?升压电路用于提供关断高侧IGBT的负的栅极?发射极电压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金满璂，李钟茂，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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