IGBT驱动器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT驱动器，包括电源电路模块；还包括：用于放大高频驱动信号，驱动IGBT的IGBT驱动电路模块，所述电源电路模块与所述IGBT驱动电路模块连接；故障采样电路模块，所述IGBT故障采集电路模块与所述IGBT驱动电路模块连接；故障信号输出电路模块，所述故障信号输出电路模块与所述IGBT驱动电路连接。本实用新型专利技术有益效果有：变压器具有线圈匝数少，漏磁少，电磁干扰小等优点，电源控制芯片采用具有两路互补输出且占空比固定的控制芯片IR2153，电路更简洁，电源稳定性增强，成本更低。采样电路采用稳压管代替电阻，测量管压降更准确，同时调整稳压管的稳压值，还可调整保护点参数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种驱动器，具体涉及一种IGBT驱动器。
技术介绍
IGBT (Insulated GateBipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块在目前DC(直流电)-DC，DC-AC (交流电)变换器中被广泛应用，由于其所需驱动功率大于MOS管，所以常规MOS管驱动电路不能应用于IGBT驱动中，而目前的IGBT驱动电路常采用集成驱动方式，对于小容量IGBT，成本较高，集成驱动的供电常用的方式为使用两个变压器绕组产生负电压，变压器绕制复杂，驱动电源需要增加反馈回路，电路结构也变复杂。专用驱动模块的故障采集电路，对于一定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT驱动器，包括电源电路模块；其特征在于：所述的IGBT驱动器还包括：用于放大高频驱动信号，驱动IGBT的IGBT驱动电路模块，所述电源电路模块与所述IGBT驱动电路模块连接；用于采集IGBT故障信号的故障采样电路模块，所述IGBT故障采集电路模块与所述IGBT驱动电路模块连接；用于传输IGBT驱动电路模块故障信号的故障信号输出电路模块，所述故障信号输出电路模块与所述IGBT驱动电路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅，刘勇，
申请(专利权)人：四川创宏电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：