【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电容式压力传感器的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:a)?在衬底上进行重掺杂,得到重掺杂层作为电容式压力传感器的下极板,随后在所述下极板上淀积氧化硅以形成牺牲层;b)?在所述牺牲层上淀积第一多晶硅层,并在该第一多晶硅层上形成牺牲层释放孔;c)?将所述牺牲层从牺牲层释放孔处进行掏空,以形成电容间隙;d)?在所述第一多晶硅层上淀积第二层多晶硅以密封住所述牺牲层释放孔,从而将所述电容间隙变成密闭空腔,所述第二层多晶硅作为所述电容式压力传感器的上极板,所述第一层多晶硅及所述第二层多晶硅组成压力敏感膜;e)?将上述压力敏感膜进行光刻及刻蚀,形成将电容间隙与外部气体连通的导气孔;f)?将牺牲层局部去除掉以露出下极板,而没有被去除的牺牲层形成用以支撑压力敏感膜的锚点;g)?将金属分别淀积在下极板及第二层多晶硅上以形成第一压焊点及第二压焊点,同时,所述导气孔被金属密封,进而将所述电容间隙变成密闭的真空腔体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李刚,胡维,
申请(专利权)人:苏州敏芯微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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