一种基于CMOS工艺的TANDOR门电路制造技术

本发明专利技术设计了一种基于CMOS工艺的TANDOR门电路，该门电路包括第一、第二、第三和第四高阈PMOS管；第一、第二、第三和第四高阈NMOS管；第一、第二、第三、第四、第五和第六低阈PMOS管；第一、第二、第三、第四、第五和第六低阈NMOS管。跟现有技术比较，该TANDOR门电路的优点是：本发明专利技术在保证功能正确的前提下，降低了电路的复杂度，少用了16个MOS管；而且经分析比较表明，本发明专利技术的TANDOR门电路的关键路径比现有技术的电路短，缩短了电路的传输延迟时间，提高了电路的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于CMOS工艺的三值“与或”复合门电路TANDOR(Ternary?AND?OR)，其特征在于：将三值基本运算：“与”运算和“或”运算集成在单个电路里，由单个门电路实现四个三值变量的两次三值“与”运算和一次三值“或”运算的功能。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郎燕峰，
申请(专利权)人：浙江工商大学，
类型：发明
国别省市：