本发明专利技术涉及有机发光领域，尤其是有机发光显示器制造过程中的剥离清洗工艺及其光刻返工工艺中使用的清洗剂。这种清洗剂用N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15：4：1~15：4：4混合而成，用这种有机发光微型显示器抗反射层清洗剂进行清洗的步骤包括：制备清洗剂，将阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入抗反射层清洗液中，在温度15~25℃下浸泡3-15分钟，让抗反射层溶解；将经过阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、N-甲基吡咯烷酮以及有机胺；依次使用异丙醇、纯水及兆声清洗有机发光显示器IC片或待返工片。具有清洗完全、无腐蚀、无残留的优点，尤其适用于有机发光显示器的阳极抗反射层清洗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机发光领域，尤其是有机发光显示器制造过程中的剥离清洗工艺及其光刻返工工艺中使用的清洗剂。
技术介绍
在有机发光显示器的制造过程中，需要采用有抗反射层的双层胶光刻(一层光刻胶，一层抗反射层)工艺来保证阳极剥离工艺的图形质量。但是光刻胶下层的抗反射层很难在保证阳极不被破坏的情况下被通用溶剂所溶解，使得在剥离清洗工艺后，抗反射层仍残留在阳极像素中而导致诸多缺陷的产生，而使用其他溶剂会造成二次污染以及对金属阳极表面的腐蚀，影响最终的发光效果和成品率。同样由于该抗反射层光胶的存在造成了光刻工艺在返工过程中面临诸多的困难。所以需要研究在不损伤金属电极及IC电路的前提下达到完全清除抗反射层的效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对有机发光显示器抗反射层不便于清洗给像素点剥离工艺及光刻返工工艺带来的困难，找到一种适用的清洗剂及与之配套的工艺。本专利技术公开了一种有机发光微型显示器抗反射层清洗剂，其特征在于用N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15:4:Γ15:4:4混合而成。本专利技术还公开了使用这种清洗剂的清洗工艺，其特征在于包括如下步骤: (1)将N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15:4:Γ15:4:4混合，配制成抗反射层清洗液，将阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入抗反射层清洗液中，在温度15 25°C下浸泡3-15分钟，让抗反射层溶解； (2)清洗残留的混合溶剂 i)将经过步骤(I)的阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、N-甲基吡咯烷酮以及有机胺； ii)依次使用异丙醇、纯水及兆声清洗有机发光显示器IC片或待返工片。由于清除抗反射层必须使用碱性溶剂破坏其交联结构中的羧基(-C00H)，而通用的碱性溶剂中普遍含有氢氧根离子(0H_)以及羟基(-0H)，这两种离子会与金属像素点中的铝发生反应，从而降低像素点的电性能，导致显示效果变差。针对这个矛盾，本专利技术采用的新型清洗剂中含有的有机胺中主要含有胺基(-NH2),胺基可以破坏抗反射层光胶中的羧基，使该光胶的交联结构逐步瓦解，达到清洗抗反射层的目的。同时，由于胺基不与金属像素点中的铝反应，可以达到保护金属像素点的效果。既对金属像素点无腐蚀性又能完全去除抗反射层的配比溶剂进行清洗，具有清洗完全、无腐蚀、无残留的优点，尤其适用于有机发光显示器的阳极抗反射层清洗。具体实施方式实施例1、 (I)用一乙醇胺配比溶液清洗抗反射层 i)将N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与乙醇胺溶液按照体积比15:4:1比例混合，配置成抗反射层清洗液； ii)将阳极剥离后的有机发光显示器IC片放入抗反射层清洗液中，在、2(T25°C下浸泡8分钟，将抗反射层溶解。( 2)清洗残留的混合溶剂 i)将经过步骤(I)的有机发光显示器IC片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、NMP以及乙醇胺； ii)依次使用异丙醇、纯水及兆声清洗有机发光显示器IC片。实施例2、· (1)用二乙醇胺配比溶液清洗抗反射层: i)将N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与乙醇胺溶液按照15:4:2比例混合，配置成抗反射层清洗液； ii)将光刻返工片放入抗反射层清洗液中，在一定2(T25°C下浸泡5 10分钟，将抗反射层溶解； (2)清洗残留的混合溶剂: i)将经过步骤(I)的光刻返工片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、NMP以及乙醇胺。ii)使用异丙醇、纯水及兆声清洗光刻返工片。本专利技术专门针对有机发光显示器像素点剥离清洗工艺和光刻返工工艺中的抗反射层清洗提出了一种新型的抗反射层清洗方法，可提高有机发光显示器生产中剥离工艺的良品率和返工片回收率，在工艺及批量生产中有较大的应用价值。权利要求1.一种有机发光微型显示器抗反射层清洗剂，其特征在于用N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15:4:Γ15:4:4混合而成。2.用权利要求1所述的有机发光微型显示器抗反射层清洗剂进行清洗的工艺，其特征在于包括如下步骤: (1)将N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15:4:Γ15:4:4混合，配制成抗反射层清洗液，将阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入抗反射层清洗液中，在温度15 25°C下浸泡3-15分钟，让抗反射层溶解； (2)清洗残留的混合溶剂 i)将经过步骤(I)的阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、N-甲基吡咯烷酮以及有机胺； ii)依次 使用异丙醇、纯水及兆声清洗有机发光显示器IC片或待返工片。全文摘要本专利技术涉及有机发光领域，尤其是有机发光显示器制造过程中的剥离清洗工艺及其光刻返工工艺中使用的清洗剂。这种清洗剂用N-甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为1541~1544混合而成，用这种有机发光微型显示器抗反射层清洗剂进行清洗的步骤包括制备清洗剂，将阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入抗反射层清洗液中，在温度15~25℃下浸泡3-15分钟，让抗反射层溶解；将经过阳极剥离后的有机发光显示器IC片或待返工片放入异丙醇中浸泡5-20分钟，去除残留的光刻胶、N-甲基吡咯烷酮以及有机胺；依次使用异丙醇、纯水及兆声清洗有机发光显示器IC片或待返工片。具有清洗完全、无腐蚀、无残留的优点，尤其适用于有机发光显示器的阳极抗反射层清洗。文档编号C11D7/26GK103242985SQ20131011484公开日2013年8月14日 申请日期2013年4月3日 优先权日2013年4月3日专利技术者朱亚安, 杨炜平, 郑云, 段瑜, 王金义 申请人:云南北方奥雷德光电科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光微型显示器抗反射层清洗剂，其特征在于用N?甲基吡咯烷酮、异丙醇与有机胺类溶液按照体积比为15：4：1~15：4：4混合而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚安，杨炜平，郑云，段瑜，王金义，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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