一种阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了阵列基板及液晶显示装置，该阵列基板包括一基板，基板上形成有栅线金属层，具有栅电极线和第一公共电极线；形成于栅电极线和第一公共电极线之上的栅极绝缘层，该层上形成有若干第一过孔；形成于栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，该层具有氧化物有源层；形成于氧化物有源层之上的刻蚀阻挡ESL层，ESL层上形成有若干第二过孔，第二过孔与第一过孔一一对应；形成于ESL层之上的数据线金属层，该层具有数据线和第二公共电极线，第二公共电极线与第一公共电极线的一部分相对应；位置对应的第一公共电极线和第二公共电极线经第一过孔和第二过孔连接。本实用新型专利技术中设置双层公共电极线来减小电阻，降低偏绿色指数并保证像素开口率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)由于其具有体积小、功耗低、无辐射等优点，是较为理想的显示设备。近年来，TFT-LCD在显示领域的应用范围逐步扩大，相关的技术也发展迅速。在液晶显示器显示质量的评价项目中，偏绿色Greenish指数是一个很重要的项目，Greenish指数要控制在客户规定的范围之内。近年来，随着显示器分辨率及显示器尺寸的不断提高，偏绿色防止设计变得越来越重要。目前，针对应用氧化物晶体管工艺的像素结构的液晶显示器，其降低Greenish指数的方法主要是通过在上下行相邻的像素上设置矩阵式公共电极单元，使上下行相邻的像素间的公共电极导通，降低公共电极的电阻来降低Greenish指数。如图1所示，包括TFT单元1、数据线2、像素电极3、栅电 极线4、公共电极线5以及矩阵式公共电极单元6，该矩阵式公共电极单元6内，上下行相邻的像素的公共电极线通过与像素电极ITO同层的ITO导线导通，形成矩阵式的相互连接的公共电极，从而达到降低Greenish指数的目的。但是此方法中，由于矩阵式公共电极单元6须设置在上下行相邻的像素内，因此使得像素开口率降低，而且液晶显示器的分辨率越高开口率降低的比例越大。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种阵列基板及液晶显示装置，以解决现有工艺制作阵列基板时，在降低Greenish指数的同时会降低像素开口率的问题。本技术的目的是通过以下技术方案实现的:本技术实施例提供一种阵列基板，包括一基板，所述基板上形成有栅极金属层，所述栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线；形成于所述栅电极线和所述第一公共电极线之上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有若干第一过孔；形成于所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有氧化物有源层；形成于所述氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层，所述ESL层上形成有若干第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔一一对应；形成于所述ESL层之上的数据线金属层，所述数据线金属层具有数据线和第二公共电极线，所述第二公共电极线与所述第一公共电极线的一部分相对应；位置对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线经所述第一过孔和所述第二过孔连接；形成于所述数据线与所述第二公共电极线之上的钝化层；形成于所述钝化层之上的透明电极层ITO层，所述ITO层上具有像素电极。优选的，每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、顶端和右端的区域，每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的顶端区域对应。优选的，每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线围绕所述像素电极的左端、末端和右端的区域，每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线与所述像素电极的末端区域对应。优选的，每一所述像素电极对应的所述第二公共电极线的宽度小于或等于所述第一公共电极线与之对应的部分的宽度。优选的，每一所述像素电极对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线之间设置有至少两个所述第一过孔和所述第二过孔。优选的，所述第一过孔和所述第二过孔为矩形、圆形、梯形、三角形、菱形或规则的多边形。优选的，所述栅电极线和所述第一公共电极线为同层设置且同步形成。优选的，所述数据线和所述第二公共电极线为同层设置且同步形成。本技术实施例提供一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。本技术实施例有益效果如下:通过设置双层公共电极线，大大降低显示区域内公共电极线的电阻，在降低Greenish指数的同时，保证较高的像素开口率。附图说明图1为现有技术阵列基板的局部俯视示意图；图2为本技术实施例所述阵列基板的局部俯视不意图；图3为本技术实施例所述阵列基板的局部剖面示意图；图4为根据本技术实施例所述阵列基板的局部剖面示意图，所示出的第一过孔的不意图；图5为根据本技术实施例所述阵列基板的局部剖面示意图，所示出的第二过孔的不意图；图6为本技术实施例所述阵列基板中的像素电极、公共电极线、栅电极线和TFT单元的位置示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本技术提供的阵列基板及其实现过程进行详细说明。本技术实施例提供一种阵列基板，包括一基板，基板上形成有栅极金属层，栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线；形成于栅电极线和第一公共电极线之上的栅极绝缘层，栅极绝缘层上形成有若干第一过孔；形成于栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，氧化物半导体层具有氧化物有源层；形成于氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层，ESL层上形成有若干第二过孔，第二过孔与第一过孔一一对应；形成于ESL层之上的数据线金属层，数据线金属层具有数据线和第二公共电极线，第二公共电极线与第一公共电极线的一部分相对应；位置对应的第一公共电极线和第二公共电极线经第一过孔和第二过孔连接；形成于数据线与第二公共电极线之上的钝化层；形成于钝化层之上的透明电极层ITO层，ITO层上具有像素电极。为了更清楚的描述本技术实施例一提供的阵列基板，结合附图2至图5进行如下说明:首先对该阵列基板的附图2进行说明，图2所示的阵列基板的局部俯视示意图，示出了栅电极线11、第一公共电极线12、数据线17、第二公共电极线18、像素电极20、TFT单元21以及包括过孔组合22，其中TFT单元21位于氧化物半导体层的氧化物有源层(氧化物半导体层和氧化物有源层未具体标出)。其中过孔组合22包括如图4所示的栅极绝缘层13的剖面示意图中所示出的第一过孔14,以及如图5所示的ESL层15的剖面示意图中所示出的第二过孔16。如图3所示，为该阵列基板的局部剖面示意图，示出了基板10、第一公共电极线12、栅极绝缘层13、ESL层15、第二公共电极线18、钝化层19以及像素电极20。根据图2至图5所示的附图进行说明如下:本技术提供的阵列基板，包括基板10，基板10上形成有栅电极线11和第一公共电极线12 ；形成于栅电极线11和第一公共电极线12之上的栅极绝缘层13，栅极绝缘层13上形成有若干第一过孔14 ；需要说明的是，还包括形成于栅极绝缘层13之上的氧化物半导体层，氧化物半导体层具有氧化物有源层，其中TFT单元21位于氧化物有源层(氧化物半导体层和氧化物有源层未具体标出)；形成于氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层15，刻蚀阻挡层15上形成有若干第二过孔16，第二过孔16与第一过孔14 一一对应；形成于ESL层15之上的数据线17和第二公共电极线18，第二公共电极线18与第一公共电极线12的一部分相对应；位置对应的第一公共电极线12和第二公共电极线18经第一过孔14和第二过孔16连接；形成于数据线17与第二公共电极线18之上的钝化层19，以及形成于钝化层19之上像素电极20。在本实施例中，如图2所示，每一像素电极20对应的第一公共电极线12围绕像素电极20的左端、顶端和右端的区域，每一像素电极20对应的第二公共电极线18与像素电极20的顶端区域对应，TFT单元21位置对应像素电极20的末端区域。如图6所示的像素电极、公共电极线、栅电极线和TFT单元的位置示意图，像素电极2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括一基板，其特征在于：所述基板上形成有栅极金属层，所述栅极金属层具有栅电极线和第一公共电极线；?形成于所述栅电极线和所述第一公共电极线之上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上形成有若干第一过孔；?形成于所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有氧化物有源层；?形成于所述氧化物有源层之上的刻蚀阻挡层ESL层，所述ESL层上形成有若干第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔一一对应；?形成于所述ESL层之上的数据线金属层，所述数据线金属层具有数据线和第二公共电极线，所述第二公共电极线与所述第一公共电极线的一部分相对应；位置对应的所述第一公共电极线和所述第二公共电极线经所述第一过孔和所述第二过孔连接；?形成于所述数据线与所述第二公共电极线之上的钝化层；?形成于所述钝化层之上的透明电极层ITO层，所述ITO层具有像素电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马小叶，金在光，尹傛俊，涂志中，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：