一种钨研磨用CMP浆料组合物制造技术

本发明专利技术涉及包含研磨剂和研磨促进剂的钨研磨用CMP浆料组合物，上述研磨剂包含分散在超纯水中的胶体硅,上述研磨促进剂包含过氧化氢水溶液、过硫酸铵及硝酸铁，上述浆料组合物不发生浆料变色问题，蚀刻选择比优异，可适用于CMP工艺。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体制造工艺中用于CMP (化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing))工艺的衆料组合物,尤其涉及可用于鹤金属膜的平坦化的CMP衆料组合物。
技术介绍
在集成电路的多重膜研磨工艺或双镶嵌工艺等中，为了晶片表面的全面平坦化(global planarization),主要使用CMP工艺。CMP工艺是指,在制造半导体时,通过使用研磨垫和浆料使晶片表面平坦化的研磨方法，在聚氨酯材质的研磨垫上滴加浆料组合物使其与晶片接触之后，实施结合了旋转及直线运动的轨道运动，对晶片进行机械及化学研磨的工艺。在CMP工艺中上述浆料通常包含发挥物理研磨作用的研磨剂(abrasive)和发挥化学研磨作用的活性成分，例如蚀刻剂(etchant)或氧化剂,通过物理化学方法选择性地蚀刻晶片表面上的突出部分，提供平坦的表面。CMP浆料根据研磨对象可分为绝缘层研磨用浆料和金属研磨用浆料，其中，绝缘层研磨用衆料适用于半导体工艺中ILD (层间电介质(interlayer dielectric))工艺和STI(浅槽隔离(Shallow trench isolation))工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴在勤，朴珍亨，林宰亨，曹宗煐，崔浩，黃熹燮，
申请(专利权)人：优备精密电子有限公司，
类型：
国别省市：