具有半导体存储电路的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供具有半导体存储电路的半导体装置，该半导体存储电路具备芯片面积小且能够在没有误动作的情况下切换为测试模式的模式切换电路。该半导体存储电路构成为具备追加了如下电路的模式切换电路：数据比较电路，其检测对通信用的输入端子与用于通信以外的输入端子输入的串行信号相互处于反相关系的情况；解码器电路，其检测串行信号是预定数据的情况，并输出检测信号；控制信号产生电路，其产生控制信号；以及根据这些信号来输出切换为测试模式的信号的电路。

【技术实现步骤摘要】
具有半导体存储电路的半导体装置
本专利技术涉及具有半导体存储电路的半导体装置，更详细地涉及能够在没有误动作的情况下容易地进行通常动作模式与测试模式的切换的模式切换电路。
技术介绍
对现有的具备半导体存储电路的半导体装置的模式切换电路进行说明。图3是示出现有的模式切换电路的电路图。现有的模式切换电路具备输入端子501、内部电路502、P型MOS晶体管503、504、N型MOS晶体管505和电压判定电路507。内部电路502经由电阻506与输入端子501连接。内部电路502具有输入信号用的反相器，被提供电源电压Vcc(例如5V)。电压判定电路507与节点N1连接。P型MOS晶体管503和504以二极管的形式进行连接，并相互反向地连接在输入端子501与电源端子之间。N型MOS晶体管505以二极管的形式进行连接，并连接在输入端子501与接地端子之间。电压判定电路507具备用于检测输入端子501的电压的电压检测用反相器和将检测信号电平变换为电源电压Vcc的变换用反相器。电压检测用反相器的电源被输入节点N1的电压，输入端子被输入电源电压Vcc。变换用反相器的电源被输入电源电压Vcc，输入端子被输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有半导体存储电路的半导体装置，该半导体存储电路具备输入时钟信号的时钟输入端子与输入数据信号的通信用的第1输入端子，其特征在于，该半导体装置具有模式切换电路，该模式切换电路具备：数据比较电路，其检测向所述第1输入端子与第2输入端子输入了彼此反相的数据信号的情况；第一解码器电路，其检测输入了所述数据信号中的第一数据信号的情况，与所述数据比较电路的检测信号一起输出检测信号；第二解码器电路，其检测输入了所述数据信号中的第二数据信号的情况，与所述数据比较电路的检测信号以及所述第一解码器电路的检测信号一起输出检测信号；以及接收所述第一解码器电路与所述第二解码器电路的检测信号而输出向测试模式转移的切换...

【技术特征摘要】
2012.01.30 JP 2012-017197;2012.11.07 JP 2012-24561.一种具有半导体存储电路的半导体装置，该半导体存储电路具备输入时钟信号的时钟输入端子与输入数据信号的通信用的第1输入端子，其特征在于，该半导体装置具有模式切换电路，该模式切换电路具备：数据比较电路，其检测向所述第1输入端子与第2输入端子输入了彼此反相的数据信号的情况；第一解码器电路，其检测输入了所述数据信号中的第一数据信号的情况，根据所述数据比较电路的检测信号，输出检测信号；第二解码器电路，其检测输入了所述数据信号中的第二数据信号的情况，根据所述数...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村孝志，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：