激光加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供激光加工装置，其在连接由第1材料形成的第1部件和由第2材料形成的第2部件而成的被加工物形成从第1部件到达第2部件的激光加工孔。包括：等离子光检测构件，其检测通过从激光束照射构件向被加工物照射激光光线产生的等离子光的波长；和控制器，其根据来自等离子光检测构件的检测信号控制激光光线照射构件。等离子光检测构件包括仅使第1材料发出的等离子光的波长通过的带通滤光片；和接收通过带通滤光片后的光并向控制器输出光强信号的光检测器。控制器控制激光光线照射构件，使得在实施激光加工时，根据从光检测器输出的光强信号，检测光强的振幅，在从光强的振幅达到预定值的时刻起照射预定数的脉冲激光光线后停止脉冲激光光线的照射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适于在连接由第I材料形成的第I部件和由第2材料形成的第2部件而成的被加工物上形成从第I部件到达第2部件的激光加工孔的激光加工装置。
技术介绍
在半导体器件制造步骤中，在大致圆板形状的半导体晶片表面上，通过排列成格子状的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，并在该划分出的区域内形成1C、LSI等器件。然后，沿着间隔道切断半导体晶片，由此对形成有器件的区域进行分割而制造出各个半导体芯片。为了实现装置的小型化、高功能化，层叠了多个器件并将层叠后的器件上设置的接合焊盘连接的模块结构已得到实际应用。该模块结构的结构是:在半导体晶片的设置有接合焊盘的部位形成通孔(via hole),并在该通孔中填入与接合焊盘连接的招等导电性材料(例如，参照专利文献I)。设于上述半导体晶片的通孔是通过钻孔机形成的。然而，设于半导体晶片的通孔的直径为90 300 μ m这样小的尺寸，因此利用钻孔机进行的穿孔存在生产性差的问题。为了消除上述问题，提出了如下这样的晶片穿孔方法:针对在基板的表面形成有多个器件并且在该器件上形成有接合焊盘的晶片，从基板的背面侧照射脉冲激光光线，高效地形成到达接合焊盘的通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工装置，其具有：保持构件，其保持被加工物；激光光线照射构件，其向由该保持构件保持的被加工物照射脉冲激光光线；等离子光检测构件，其检测通过从该激光光线照射构件向被加工物照射激光光线而产生的等离子光的波长；以及控制构件，其根据来自该等离子光检测构件的检测信号控制该激光光线照射构件，该等离子光检测构件包括：带通滤光片，其仅使第1材料发出的等离子光的波长通过；以及光检测器，其接收通过该带通滤光片后的光并向该控制构件输出光强信号，该控制构件控制该激光光线照射构件，使得在使该激光光线照射构件工作而向被加工物照射脉冲激光光线来实施被加工物的从第1部件到达第2部件的激光加工时，根据从该光检测器输出的...

【技术特征摘要】
2012.01.27 JP 2012-0158061.一种激光加工装置，其具有: 保持构件，其保持被加工物； 激光光线照射构件，其向由该保持构件保持的被加工物照射脉冲激光光线； 等离子光检测构件，其检测通过从该激光光线照射构件向被加工物照射激光光线而产生的等离子光的波长；以及 控制构件，其根据来自该等离子光检测构件的检测信号控制该激光光线照射构件， 该等离子光检...

【专利技术属性】
技术研发人员：能丸圭司，森数洋司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：