惯性力传感器制造技术

惯性力传感器具备：基体、设于基体的转换器、设于基体且与转换器连接的配线。配线具有：形成于基体上的下部电极层、形成于下部电极层上的压电层、形成于压电层上的电容减少层和形成于电容减少层上的上部电极层。电容减少层的介电常数比压电层的介电常数小。该惯性力传感器能够改善噪声等级。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于携带终端或车辆等的检测加速度及角速度等的惯性力传感器。
技术介绍
图11是现有的惯性力传感器I的剖视图。惯性力传感器I具备:基体2、形成于基体2上的下部电极层3、形成于下部电极层3上的压电层4和形成于压电层4上的上部电极层5。在惯性力传感器I中，有时噪声等级变大，而使与惯性力传感器I连接的电路部的耗电量增大。专利文献I中公开了与惯性力传感器I类似的惯性力传感器。专利文献1:(日本)特开2008 - 224628号公报
技术实现思路
惯性力传感器具备:基体、设于基体的转换器、设于基体且与转换器连接的配线。配线具有:形成于基体上的下部电极层、形成于下部电极层上的压电层、形成于压电层上的电容减少层、形成于电容减少层上的上部电极层。电容减少层的介电常数比压电层的介电常数小。该惯性力传感器能够改善噪声等级。附图说明图1A是本专利技术实施方式I的惯性力传感器的剖视图；图1B是实施方式I的其它的惯性力传感器的剖视图；图2A是表示实施方式I的惯性力传感器的制造工艺的流程图；图2B是表示比较例的惯性力传感器的制造工艺的流程图；图3是实施方式I的再其它的惯性力传感器的俯视图；图4A是图3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.18 JP 2010-2577961.一种惯性力传感器，具备: 基体； 设于所述基体的转换器； 设于所述基体且与所述转换器连接的配线， 所述配线具有: 形成于所述基体的上面的第一下部电极层； 形成于所述第一下部电极层的上面的第一压电层； 形成于所述第一压电层的上面的电容减少层； 形成于所述电容减少层的上面的第一上部电极层， 所述电容减少层的介电常数比所述第一压电层的介电常数小。2.如权利要求1所述的惯性力传感器，其中， 所述第一压电层和所述第一上部电极层整体性地覆盖所述电容减少层，以使所述电容减少层不露出。3.如权利要求1所述的惯性力传感器，其中， 所述电容减少层具有位于所述第一压电层的所述上面的下面， 所述电容减少层具有与所述电容减少层的所述上面和所述下面连接的侧面， 所述第一上部电极层覆盖所述电容减少层的所述上面和所述侧面。4.如权利要求1所述的惯性力传感器，其中， 所述电容减少层的厚度为所述第一上部电极层的厚度以下。5.如权利要求1所述的惯性力传感器，其中， 所...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田贵巳，藤井刚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：