液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，其中R1，R1*，Z1，L1和L2具有权利要求1中所示含义，并且本发明专利技术还涉及所述介质用于特别是基于VA，PSA-，PS-VA，PALC，FFS，PS-FFS，PS-IPS或IPS效应的有源矩阵显示器的用途。

【技术实现步骤摘要】
液晶介质本专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，

【技术保护点】
液晶介质，其特征在于包含至少一种式I化合物，其中，R1和R1＊各自彼此独立地表示具有1?15个C原子的烷基或烷氧基，其中这些基团中一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被?C≡C?，?CF2O?，?CH＝CH?，?O?，?CO?O?，?O?CO?以O原子彼此不直接键接的方式代替，并且其中一个或多个H原子也可以被卤素代替，Z1表示单键，?CH2CH2?，?CH＝CH?，?CH2O?，?OCH2?，?CF2O?，?OCF2?，?COO?，?OCO?，?C2F4?，?CF＝CF?，?CH＝CHCHO?，L1和L2各自彼此独立地表示F，Cl，CF3或CHF2。FSA00000866036100011.tif,FSA00000866036100012.tif

【技术特征摘要】
2011.12.20 DE 102011121665.41.液晶介质，其特征在于包含至少一种式I化合物，2.液晶介质，其特征在于其包含至少两种式I化合物。3.根据权利要求1或2的液晶介质，其特征在于其包含至少三种式I化合物。4.根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质，其特征在于L1和L2各自表示氟。5.根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质，其特征在于Z1表示单键。6.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含至少一种式1-1至1-145的化合物，7.根据权利要求1-6的一项或多项的液晶介质，其特征在于包含至少一种式1-1，1-3，1-7，1-13，1-15，1-19，1-25 和 1-26 的化合物。8.根据权利要求1-7的一项或多项的液晶介质，其特征在于包含至少两种选自式1-1，1-3，1-7，1-13，1-15，1-19, 1-25 和 1-26 的化合物。9.根据权利要求1-8的一项或多项的液晶介质，其特征在于一种或多种式I化合物在整个混合物中的比例为5-65重量％。10.根据权利要求1-9的一项或多项的液晶介质，其特征在于还包含一种或多种选自式IIA，IIB和IIC化合物的化合物，11.根据权利要求1-10的一项或多项的液晶介质，其特征在于，还包含一种或多种式III...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克拉森梅默，M·罗伊特，R·福特，D·保卢斯，M·布雷默，H·亨泽尔，H·赫施曼，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
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