掺杂剂含量低的多晶硅块材制造技术

本发明专利技术涉及掺杂剂含量低的多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掺杂剂含量低的多晶硅块材。
技术介绍
在工业规模上，粗制硅是通过在电弧炉中在约2000°C的温度下用碳还原二氧化硅获得的。在此，获得纯度约为98至99%的所谓的“冶金级”硅(Simg)。对于光伏和微电子应用，必须对冶金级硅进行纯化。为此，例如在300至350°C下在流化床反应器中与气态氯化氢反应生成含有硅的气体，例如三氯硅烷。接着实施蒸馏步骤，以对含有硅的气体进行纯化。于是该高纯度的含有硅的气体用作制备高纯度多晶硅的起始原料。多晶硅通常是通过西门子法制备的。在此，在铃形反应器(“西门子反应器”)中通过直接流通电流加热细的细丝硅棒，并导入含有含硅组分和氢的反应气体。反应气体的含娃组分通常是单娃烧或通用组成为SiHnX4_n (n=0、l、2、3 ;X=C1、Br、I)的卤硅烷。优选为氯硅烷，更优选为三氯硅烷。主要使用SiH4或SiHCl3(三氯硅烷，TCS)与氢的混合物。在西门子法中，细丝棒通常垂直地插入位于反应器底部的电极中，通过这些电极将其连接至电源。每两根细丝棒通过一条水平的桥(同样由硅组成)连接，并形成用于硅沉积的载体。通过桥接 形成通常为U形的还称作细棒的载体本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。

【技术特征摘要】
2012.01.24 DE 102012200992.21.多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为I至50ppta，磷的浓度为I至50ppta。2.根据权利要求1的多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为I至30ppta。3.根据权利要求1或2的多晶硅块材，其中在表面上，磷的浓度为I至25ppta。4.根据权利要求1至3之一的多晶硅块材，其中在表面上，砷的浓度为0.0I至IOppta。5.根据权利要求1至4之一的多晶硅块材，其中在表面上，铝的浓度为0.0I至IOppta。6.根据权利要求1至5之一的多晶娃块材，其中在表面上，金属的浓度为10至200pptwo7.根据权利要求1至6之一的多晶硅块材，其中在其表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·沃赫纳，A·基林格，R·佩赫，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：