可修补数据线之画素电极结构及其制作方法技术

本发明专利技术是揭露一种可修补数据线之画素电极结构及其制作方法，其是形成二金属层，此包含一晶体管之闸极、源极、汲极、一闸极线与一资料线，并于闸极下方形成一氧化半导体层，位于数据线下方或上方的氧化半导体层具有一高导电区。晶体管本身与其上方更分别形成有一绝缘层，且最上方之绝缘层形成有一电极层，以连接汲极。本发明专利技术在不影响画素开口率之前提下，利用高导电区以修补断线时之数据线，以保持讯号稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种画素电极技术，特别是关于一种可修补资料线之画素电极结构及其制作方法。先前技术液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的一种平面显示器，具有低消耗电功率、薄型轻量以及低电压驱动等特征，其显示原理是利用液晶分子之材料特性，于外加电场后使液晶分子的排列状态改变，从而使液晶材料产生各种光电效应。一般而言，IXD的显示区域包含复数个画素区域，每一个画素区域是指由两条闸极线(gateline)(又称扫瞄线，scan line)与两条数据线(data line)所定义之矩形区域，其内设置有一薄膜晶体管(thin film transistor,以下简称TFT)以及一画素电极,此薄膜晶体管是为一种开关组件(switching device)。闸极线与数据线主要是用来提供影像讯号以驱动画素电极，但是碍于制作时基板表面之高低起伏、热处理、蚀刻制程等影响，闸极线与数据线很容易发生断线，进而导致断路(open circuit)或短路(short circuit)的现象。而且，当IXD面板之面积扩大并提高分辨率时，需要制作数 量更多的闸极线与数据线，且线宽变得更窄，则制程困难度的提高更容易导致断线现象。因此，为了避免LCD面板的操作受到少部份断线的影响，极需发展出一种修补(repair)缺陷的结构及其制作方法。如第I图所示，传统技术在修补数据线10时，是利用与第一金属层12—同形成，且位于资料线10旁的修补线14。换言之，此第一金属层12同时形成晶体管之闸极16、闸极线18与修补线14。但由于此修补线14为金属材质，不透光，降低了整个画素的开口率，特别是在小尺寸的显示面板中，其降低开口率的缺陷尤其明显。因此，本专利技术是在针对上述之困扰，提出一种可修补资料线之画素电极结构及其制作方法，以解决习知所产生的问题。
技术实现思路
本专利技术之主要目的，在于提供一种，其是在数据线下方或上方利用氧化半导体层形成高导电区，以于数据线断线时，利用高导电区修补数据线，来保持讯号稳定性，并同时维持面板之画素开口率。为达上述目的，本专利技术提供一种可修补数据线之画素电极结构，包含一透明基板，此透明基板上依序设有一缓冲层与一氧化物半导体层，以藉氧化物半导体层形成相隔离之一第一高导电区与一晶体管之一通道区。氧化物半导体层与缓冲层上还依序设有一第一绝缘层与一第一金属层，第一金属层形成晶体管之闸极与一闸极线，闸极位于通道区上方。于第一金属层与第一绝缘层上设有一第二绝缘层，且有二个第一通孔贯穿第一绝缘层与第二绝缘层，以露出通道区。于第二绝缘层上设有一第二金属层，其是透过第一通孔和通道区相接触，第二金属层是形成晶体管之源极、汲极与一数据线，数据线位于第一高导电区上方。在第二金属层上设有一第三绝缘层，其是具有位于汲极上方之一第二通孔。第三绝缘层上设有一电极层，其是藉第二通孔与汲极相接触。本专利技术提供一种可修补数据线之画素电极结构之制作方法，首先，于一透明基板上依序形成一缓冲层与包含相隔离之一修补线区与一晶体管之一通道区的一氧化物半导体层。接着，形成一第一绝缘层于氧化物半导体层与缓冲层上。完成后，形成一第一金属层于第一绝缘层上，第一金属层包含晶体管之闸极与一闸极线，闸极位于通道区上方。然后，以闸极为罩幕，以在修补线区中形成一第一高导电区。再来，形成一第二绝缘层于第一金属层与第一绝缘层上，并形成贯穿第一绝缘层与第二绝缘层之二个第一通孔，以露出通道区。通孔完成后，形成一第二金属层于第二绝缘层上，以透过第一通孔和通道区相接触，第二金属层包含晶体管之源极、汲极与一数据线，数据线位于第一高导电区上方。最后，形成一第三绝缘层于第二金属层与第二绝缘层上，第三绝缘层具有位于汲极上方之一第二通孔，并且，形成一电极层于第三绝缘层上，以藉第二通孔与汲极相接触。本专利技术亦提供另一种可修补数据线之画素电极结构，包含一透明基板，其上设有一第一金属层，以形成一晶体管之汲极、源极与一资料线。于透明基板与第一金属层上更设有一氧化物半导体层，以形成相隔离之一高导电区与一晶体管之一信道区，信道区位于汲极与源极之间，高导电区位于数据线上方。于氧化物半导体层、透明基板与第一金属层上依序设有一第一绝缘层与一第二金属层，第二金属层是形成晶体管之闸极与一闸极线，闸极位于通道区上方。在第一绝缘层与第二金属层上是设有一第二绝缘层，且第一绝缘层与第二绝缘层贯穿有一通孔，以露出汲极。第二绝缘层上设有一电极层，其是藉通孔和汲极相接触。本专利技术亦提供一种可修补数据线之画素电极结构之制作方法，首先，形成包含一晶体管之汲极、源极与一资料线之一第一金属层于一透明基板上。接着，形成一氧化物半导体层于透明基板与第一金属层上，氧化物半导体层包含相隔离之一修补线区与一晶体管之一信道区，信道区位于汲极与源极之间，修补线区位于数据线上方。然后，依序形成一第一绝缘层与一第二金属层于氧化物半导体层、透`明基板与第一金属层上，第二金属层包含晶体管之闸极与一闸极线，闸极位于通道区上方。再来，以闸极为罩幕，以于修补线区中形成一高导电区，其是位于资料线上方。形成完后，再形成一第二绝缘层于第一绝缘层与第二金属层上，并形成贯穿第一绝缘层与第二绝缘层之一通孔，以露出汲极。最后，形成一电极层于第二绝缘层上，以藉通孔和汲极相接触。兹为使贵审查委员对本专利技术之结构特征及所达成之功效更有进一步之了解与认识，谨佐以较佳之实施例图及配合详细之说明，说明如后:附图说明第I图为先前技术之可修补数据线之画素电极结构示意图。第2图为本专利技术之第一实施例之画素电极结构示意图。第3图为第2图沿A-A，切线之画素电极结构剖视图。第4(a)图至第4(h)图为制作第3图之各步骤画素电极结构剖视图。第5图为本专利技术之第一实施例之进行雷射修补后的画素电极结构剖视图。第6图为本专利技术之第二实施例之画素电极结构示意图。第7图为第6图沿A-A，切线之画素电极结构剖视图。第8(a)图至第8(h)图为制作第7图之各步骤画素电极结构剖视图。实施方式本专利技术提供一种不需要额外提供光罩的。以下介绍本专利技术之第一实施例，请同时参阅第2图与第3图。本专利技术包含一透明基板20，其上依序设有一缓冲层21与材质为氧化铟镓锌(IGZO)之一氧化物半导体层22，以形成相隔离之一第一高导电区24与一晶体管之一通道区26。氧化物半导体层22与缓冲层21上依序设有一第一绝缘层28与一第一金属层30,第一金属层30是形成晶体管之闸极32与一闸极线34，闸极32位于通道区26上方，并连接闸极线34，且通道区26具有露出闸极32之部分，其是形成有一第二高导电区27。第一高导电区24与第二高导电区27皆由氧化物半导体层22进行脱氧、或加氢或稀有气体而形成,其中稀有气体为氦气、氖气、IS气、氪气、氣气或氡气。第一绝缘层28与第一金属层30上设有一第二绝缘层36,有二个第一通孔38贯穿第一绝缘层28与第二绝缘层36，以露出通道区26。第二绝缘层36上设有一第二金属层40，其是透过第一通孔38和通道区26相接触，第二金属层40是形成晶体管之源极42、汲极44与一数据线46，数据线46位于第一高导电区24上方，并连接源极42，闸极线34与数据线46垂直交会。第二金属层40上还设有一第三绝缘层48本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可修补数据线之画素电极结构，包含：一透明基板；一缓冲层，设于该透明基板上；一氧化物半导体层，设于该缓冲层上，以形成相隔离之一第一高导电区与一晶体管之一通道区；一第一绝缘层，设于该氧化物半导体层与该缓冲层上；一第一金属层，设于该第一绝缘层上，以形成该晶体管之闸极与一闸极线，该闸极位于该通道区上方；一第二绝缘层，设于该第一金属层与该第一绝缘层上；二个第一通孔，其是贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层，以露出该通道区；一第二金属层，设于该第二绝缘层上，并透过该些第一通孔和该通道区相接触，该第二金属层是形成该晶体管之源极、汲极与一数据线，该数据线位于该第一高导电区上方；一第三绝缘层，设于该第二金属层上，该第三绝缘层具有位于该汲极上方之一第二通孔；以及一电极层，设于该第三绝缘层上，并藉该第二通孔与该汲极相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐国杰，洪和平，舒凡霞，
申请(专利权)人：深超光电深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：