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本发明是揭露一种可修补数据线之画素电极结构及其制作方法，其是形成二金属层，此包含一晶体管之闸极、源极、汲极、一闸极线与一资料线，并于闸极下方形成一氧化半导体层，位于数据线下方或上方的氧化半导体层具有一高导电区。晶体管本身与其上方更分别形成有...
该专利属于深超光电(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深超光电(深圳)有限公司授权不得商用。

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