一种RRAM写电路制造技术

本发明专利技术提出一种RRAM写电路，包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括M行N列存储单元，其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管，其中，晶体管的漏极经过电阻与位线相连，晶体管的栅极与字线相连，每一列晶体管的源极相连；和限流模块，限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管，限流晶体管的漏极与对应列的存储单元的源极相连，限流晶体管的栅极接限流电压，限流晶体管的源极与源线相连。本发明专利技术提出了置位过程中位线限流的RRAM写电路，在不增加面积的情况下，使得译码电路结构简单，而且能够并行写入包含‘0’和‘1’的多位数据信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及阻变存储器设计
，尤其涉及到一种RRAM写电路。
技术介绍
阻变存储器(RRAM)因其在各方面的性能优势，如存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、信息保持稳定、具有不挥发性、而且易于实现三维立体集成和多值存储等，已经成为存储器的研究热点。阻变存储器中变阻材料的阻值可以通过对其上下电极施加电压或者电流的不同而改变，呈现出低阻和高阻两种状态，用这两种状态来存储逻辑‘0’和逻辑‘I’。对阻变单元的写操作存在置位(set)和复位(reset)两个过程，其中置位过程是将变阻由高阻状态变成低阻状态，复位过程是将变阻由低阻状态变成高阻状态。目前写操作过程中存在最大问题是置位与复位过程需要字线所加的电压不同，即阻变材料由高阻变低阻过程需要限流而反之则不需要。这就使得字线译码器不仅一个选择开关的作用，同时还要能供提供限流功能。而这样设计不仅会增加行译码电路设计的复杂度，而且使得不能同时写入包含‘0’和‘I’的多位数据信号。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种具有能够限流，允许同时写入多位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RRAM写电路，其特征在于，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括M行N列存储单元，其中每个所述存储单元包括一个电阻和一个晶体管，其中，所述晶体管的漏极经过所述电阻与位线相连，所述晶体管的栅极与字线相连，每一列所述晶体管的源极相连；和限流模块，所述限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管，所述限流晶体管的漏极与对应列的所述存储单元的源极相连，所述限流晶体管的栅极接限流电压，所述限流晶体管的源极与源线相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于杰，焦斌，伍冬，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：