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本发明提出一种RRAM写电路，包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括M行N列存储单元，其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管，其中，晶体管的漏极经过电阻与位线相连，晶体管的栅极与字线相连，每一列晶体管的源极相连；和限流模块，限流模块包括与N...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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