本发明专利技术公开一种基于硅上液晶技术的波长阻断器及波长阻断系统。一方面，一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，包括依次设置的环形器、线偏振光发生器和光栅，依次设置的聚焦透镜组、硅上液晶芯片和控制电路，聚焦透镜组位于光栅的一端。另一方面，本发明专利技术还公开了一种波长阻断系统。本发明专利技术一方面光路上使用的元件少，由于硅上液晶芯片的结构相对简单，价格平宜，可以用同一片液晶芯片和一个光路系统，做出互相独立的多个波长阻断器，且生产成本低只有其它同类器件的1/3~1/5；另一方面可通过控制其中的控制电路实现通道频率和频带宽度的改变。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光通信设备，更具体地说，特别涉及一种基于硅上液晶技术的波长阻断器及波长阻断系统。
技术介绍
光通信网络的高速发展，对光通信设备模块的性能，可靠性要求越来越高，设备成本和运行成本要求越来越低，要求有可变通道频率和频带宽度。但是现有的设备一方面不具有可变通道频率和频带宽度，另一方面存在因光路上元器件多而导致设备价格昂贵。因此，需要设计一种新型的波长阻断器及系统。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于针对现有技术中一方面不具有可变通道频率和频带宽度，另一方面存在因光路上元器件多的技术问题，提供一种基于硅上液晶技术的波长阻断器。本专利技术的第二目的在于提供一种 根据上述的基于硅上液晶技术的波长阻断器组成的波长阻断系统。为了达到上述第一目的，本专利技术采用的技术方案如下: 一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，包括依次设置的环形器、线偏振光发生器和光栅，以及，依次设置的聚焦透镜组、硅上液晶芯片和控制电路，所述聚焦透镜组位于光栅的一端。优选的，所述的聚焦透镜组是单方向聚焦的柱透镜组。优选的，所述线偏振光发生器包括依次设置的准值器、双折射晶体和半波片，且所述准值器位于环形器的一端。优选的，所述硅上液晶芯片包括依次设置于的平面液晶、反射薄膜层以及互补金属氧化物半导体，且所述平面液晶位于聚焦透镜组的一端。优选的，所述反射薄膜层与聚焦透镜组的焦平面重合。为了达到上述第二目的，本专利技术采用的技术方案如下: 一种根据上述的基于硅上液晶技术的波长阻断器组成的波长阻断系统，其中:所述波长阻断器至少为二个，且所述至少二个波长阻断器依次通过耦合器连接。与现有技术相比，本专利技术的优点在于:一方面光路上使用的兀件少，由于娃上液晶芯片的结构相对简单，价格平宜，可以用同一片液晶芯片和一个光路系统，做出互相独立的多个波长阻断器，且生产成本低只有其它同类器件的1/3 1/5 ;另一方面通过控制其中的控制电路即可实现通道频率和频带宽度的改变；同时波长阻断器组成的系统可以实现动态重构多路波长的波长选择开关功能。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术的基于硅上液晶技术的波长阻断器的结构图。附图标记说明: 1、平面液晶，2、反射薄膜层，3、互补金属氧化物半导体，4、控制电路，5、光栅，6、聚焦透镜组，7、环形器，8、准值器，9、双折射晶体，10、半波片。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。参阅图1所示，本专利技术提供的一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，包括依次设置的环形器7、线偏振光发生器和光栅5，以及，依次设置的聚焦透镜组6、硅上液晶芯片和控制电路4 (即COMS控制电路)，其中，聚焦透镜组6位于光栅5的一端， 较佳的，聚焦透镜组6是单方向聚焦的柱透镜组，线偏振光发生器包括依次设置的准值器8、双折射晶体9和半波片10，且准值器8位于环形器7的一端。硅上液晶芯片包括依次设置的平面液晶1、反射薄膜层2以及互补金属氧化物半导体(即C0MS) 3，且平面液晶I位于聚焦透镜组6的一端。这样，光波的通道是由互补金属氧化物半导体3的控制形成的，而平面液晶I内部不需要有光波的通道间隔，因此造价低，而且通道的频率和带宽任意可调。而本专利技术的原理是如下所示: 入射光线(波长范围一般为1527nnTl567nm)被准值器8准值后(一束平行光线)，进入双折射晶体9和半波片10产生水平方向偏振光，入射到光栅5，产生按频率排列的光谱，即实现了波长分离，然后聚焦于柱形的聚焦透镜组6的焦平面上，而由于设置了平面液晶I后面的反射薄膜层2与聚焦透镜组6的焦平面重合，偏振光可通过柱形聚焦透镜组6后垂直入射平面液晶I后面的反射薄膜层2并被反射。且平面液晶I的平面有上百万个像素，所有像素均由反射薄膜层2后面的COMS控制电路4控制，此时，可通过控制COMS控制电路4的电压可以把水平方向的偏振光旋转90度变成垂直方向的偏振光，沿原路反射进入半波片IO、双折射晶体9时，被折射向下，就不能进入准值器8中。同时，通过控制COMS控制电路4的电压也可以让水平方向的偏振光保持偏振方向沿原路反射到半波片10、双折射晶体9，再进入准值器8。这样，即达到让水平方向的偏振光被接收，垂直方向的偏振光不能被接收的目的，而运用这原理，可以在平面液晶I的平面上把入射的光波(1527nnTl567nm)划分出多个频道。且受控制后的光波被反射薄膜层2沿原路反射，最后被准值器8接收和环形器7分解输出经控制后的光波信号。因此，控制COMS控制电路4的电压就能对偏振光产生大小不同阻断作用，其衰减量可达0.5-40dB,即可视为光路开关。而根据上述的原理，可以组成一个波长阻断系统，其中:系统中包括至少二个波长阻断器，且至少二个波长阻断器依次通过耦合器连接。该耦合器可以采用现有技术中的具有在光路中用作分光或合光功能的器件。这样即可以组成1x2或Ixn的波长选择开关(WSS)，而通过控制控制电路的电压，按需要把频道和通道开通或关闭，这样就实现了波长选择开关(WSS)的动态重构多路的波长选择开关的功能。且波长选择开关(WSS)具有可实现任意方向的双向连接，低插损传输，任意波长到任意光路，光功率均匀，以及波长交叉连接运用等优点。虽然结合附图描述了本专利技术的实施方式，但是专利所有者可以在所附权利要求的范围之内做出各种变形或修改，只要不超过本专利技术的权利要求所描述的保护范围，都应当在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于:包括依次设置的环形器(7)、线偏振光发生器和光栅(5)，以及，依次设置的聚焦透镜组(6)、硅上液晶芯片和控制电路(4)，所述聚焦透镜组(6)位于光栅(5)的一端。2.根据权利要求1所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于:所述聚焦透镜组(6)是单方向聚焦的柱透镜组。3.根据权利要求2所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于:所述线偏振光发生器包括依次设置的准值器(8)、双折射晶体(9)和半波片(10)，且所述准值器(8)位于环形器(7)的一端。4.根据权利要求2或3所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于:所述硅上液晶芯片包括依次设置的平面液晶(I)、反射薄膜层(2)以及互补金属氧化物半导体(3)，且所述平面液晶(I)位于聚焦透镜组(6)的一端。5.根据权利要求4所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于:所述反射薄膜层(2)与聚焦透镜组(6)的焦平面重合。6.一种根据权利要求1所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器组成的波长阻断系统，其特征在于:权利要求1所述的波长阻断器至少为二个，且所述至少二个波长阻断器依次通过耦合器连接。全文摘要本专利技术公开一种基于硅上液晶技术的波长阻断器及波长阻断系统。一方面，一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，包括依次设置的环形器、线偏振光发生器和光栅，依次设置的聚焦透镜组、硅上液晶芯片和控制电路，聚焦透镜组位于光栅的一端。另一方面，本专利技术还公开了一种波长阻断系统。本专利技术一方面光路上使用的元件少，由于硅上液晶芯片的结构相对简单，价格平宜，可以用同一片液晶芯片和一个光路系统，做出互相独立的多个波长阻断器，且生产成本低只有其它同类器件的1/3~1/5；另一方面可通过控制其中的控制电路实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于硅上液晶技术的波长阻断器，其特征在于：包括依次设置的环形器（7）、线偏振光发生器和光栅（5），以及，依次设置的聚焦透镜组（6）、硅上液晶芯片和控制电路（4），所述聚焦透镜组（6）位于光栅（5）的一端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方水塔，黄慧红，
申请(专利权)人：方水塔，黄慧红，
类型：发明
国别省市：
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