【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于集成光通信领域。
技术介绍
现代光通信技术的发展对光通信器件的材料与结构提出了很高的要求。硅基器件作为新型光子器件具有高速、低功耗、微型化的特点，中国科学院北京半导体所余金中课题组在2012年的Optical Express杂志上报道研制出了具有40G/s的超高速硅基马赫曾德尔调制器；IBM公司的J.C.Rosenberg等人在2011年的OFC会议上发布了功耗仅仅只有1.8pJ/bit的硅基调制器；由于硅材料具有较高的折射率(3.46)，与周围的空气以及作为基底的二氧化硅材料形成了高折射率差，所以可以将光信号限制在很小的空间内，从而实现了器件的微型化，目前的硅波导尺寸都在亚微米级别；由于硅工艺集成技术与现在非常成熟的集成电路CMOS工艺集成技术完全兼容，从而易于实现大规模集成。所以，使用硅材料来实现现代光通信器件是未来发展的一个方向。硅基光通信器件的性能很大程度上是由硅波导决定的。粗糙的硅波导侧壁将对在其中传输的光信号产生很大的散射作用，信号功率大大减弱，增加了传输损耗，误码率变大。由于刻蚀造成的硅波导的高度、宽度改变，将改变光传播常数...
【技术保护点】
一种基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一，对洁净的绝缘体上硅片（1）进行干氧氧化处理，氧化温度850～950°C，O2流量15～20sccm，N2流量45～60sccm，氧化时间10～25min，形成20～30nm厚的二氧化硅膜（2）；步骤二，利用感应耦合等离子增强化学气相淀积在二氧化硅膜上形成一层100～400nm厚的多晶硅（3）；步骤三，旋涂1～3μm厚的光刻胶（4）使其覆盖多晶硅（3）；步骤四，用步进式光刻机进行光刻，焦距?1～0.5，曝光时间120ms～160ms，形成光刻胶图像（5）；步骤五，用深硅感应耦合等离子刻蚀去除没有被光刻...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱海柯，谢静雅，孙晓萌，周林杰，陈建平，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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