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本发明公开了一种基于多晶硅掩膜的硅波导膜制备方法，包括如下步骤：准备好洁净的绝缘体上硅（SOI）基底，进行一次干氧氧化生成薄二氧化硅膜，在二氧化硅膜上生长一层较厚的多晶硅膜，对多晶硅膜进行涂胶、光刻、刻蚀得到多晶硅掩膜，对样品进行氧化，去除...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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