一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法技术

本发明专利技术提供了一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，选取碳化硼粉，并将碳化硼粉送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，通过反应等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。本发明专利技术使用甲烷气(CH4)代替氢气作为辅助工作气体进行喷涂，甲烷气电离后具有还原性能保护B4C不被氧化，同时因为气体中含有C，通过其与B4C的反应，可降低甚至防止B4C在高温下的C流失，获得性能良好的B4C涂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子喷涂
，具体涉及一种气相反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法。
技术介绍
目前，低温等离子体微细加工方法是材料微纳加工的关键技术，它是微电子、光电子、微机械、微光学等制备技术的基础，特别是在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等离子体加工完成的，如等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀及等离子体去胶等。其中等离子体刻蚀为最关键的工艺流程之一，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片上的不可替代的工艺。在刻蚀工艺过程中，由于存在大量的具有强腐蚀性的活性自由基，它们对等离子刻蚀工艺腔的内表面也会产生腐蚀作用，引起污染，影响刻蚀效果，并且会使刻蚀工艺腔失效。早期的90年代的等离子刻蚀设备，在较小功率和单一等离子体发生源的情况下，在铝基体层上加Al2O3涂层就可以满足等离子体对刻蚀工艺腔的蚀刻损伤。进入到300mm设备，随着等离子功率越来越大，等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤也越来越大，使得在刻蚀的过程容易发生如下问题:(I)颗粒；(2)工艺腔壁涂层剥落，导致等离子体直接与铝基体发生作用；(3) Al2O3零部件的寿命受到更高功率的限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)，选取碳化硼粉，并将碳化硼粉送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选取Ar和CH4为喷涂气体，通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文东，闫坤坤，黄春，刘邦武，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：