【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。特别地, 本专利技术涉及一种可对主要由硬质氨基甲酸乙酯构成的化学机械研磨(chemical-mechanical polishing:简称CMP)垫片用、或各种半导体材 料进行高平面度且高效率加工的研磨工具以及其有效的制造方法。
技术介绍
近年,随着超LSI器件中的配线多层化的发展,在使层之间的绝缘 膜或硅等金属膜晶片的平坦化中釆用CMP。并且为了维持CMP中所使 用的研磨垫片(一般为硬质发泡聚氨基曱酸乙酯制)的高平坦化以及晶 片研磨速度,需要经常或间歇地调节该研磨垫片的表面。以往,在调节该研磨垫片时,使用有一种通过电沉积将金刚磨粒固 定安装到基板上的工具。作为这种电沉积型的调节用的工具的例子,已 知有如下构成的旋转研磨工具(专利文献l),即其在圓板形基台的圆 形表面的中央设置未配置磨粒的中空区域,在其外侧设置第一区域,进 而在第 一 区域的外侧设置第二磨粒层区域,且在第 一磨粒层区域上隔开 间隔来设置多列小磨粒层部,各小磨粒层部是利用金属电镀相将超磨粒 固定安装于大致呈部分球状的隆起部的表面上的结构,第二磨粒层区域 是利用金属电镀相将超磨粒 ...
【技术保护点】
一种研磨工具,具有由超磨粒烧结体构成的研磨部,该研磨工具的特征在于,研磨部包含具有顶部的多个研磨单位,各顶部处于相互大致同一个平面上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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