高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法技术

技术编号:8901132 阅读:138 留言:0更新日期:2013-07-10 19:57
高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,它涉及一种纳米铝片阵列的制备方法。本发明专利技术解决了现有制备纳米铝片及其阵列的方法所得产品尺寸不均匀,厚度难以控制的技术问题。本发明专利技术方法如下:一、将铝片放入石英管中保温;二、制备混合液;三、乳状悬浮液;四、将高纯石墨放入步骤三所得乳状悬浮液中,形成均匀的悬浮液;五、将步骤四所得悬浮液置入水热反应釜中,将经过步骤一处理的铝片放入步骤五的水热反应釜中反应,干燥,即得纳米铝片阵列。本发明专利技术利用高纯天然鳞片石墨在水热条件下表面的反应活性,并添加表面活性剂,从而使得在制备纳米铝片的同时形成其阵列结构(纳米铝片的厚度可控制在20~50纳米)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米铝片阵列的制备方法。
技术介绍
纳米铝片由于其具有许多新颖的特性,如良好的反光、反热性能,良好的导电性能和延展性等特点,因而引起学者的极大兴趣。纳米铝片及其阵列的制备赋予了纳米铝片新的特性,使其具有更优异的物理和化学特性,如光学、催化和电导特性等。目前,有关金属纳米片的制备方法主要集中于化学还原法和电沉积法。化学还原法的优点在于容易制取纳米粒子,但在反应过程中需要添加一些添加剂,难以清除干净,影响产物质量,难以控制产物形貌和尺寸的均匀性,纳米片厚度难以控制。电沉积法是以待制备金属纳米片的金属盐溶液为电解液,采用电沉积技术使得金属纳米片在阴极表面进行生长,从而制备金属纳米片,但其厚度仍难以控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有制备纳米铝片及其阵列的方法所得产品尺寸不均匀,厚度难以控制的技术问题,提供了一种。按照以下步骤进行:一、将铝片放入石英管中,再将石英管真空密封后,以5 10°C /分的速度升温到500°C,在 500°C保温 Ih ;二、取0.8 1.6ml氨水、8 16ml无水乙醇和8 12ml蒸懼水,在室温条件下搅拌、混合30分钟,调节pH值本文档来自技高网...

【技术保护点】
高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法,其特征在于高纯石墨催化条件下纳米铝片阵列的制备方法按照以下步骤进行:一、将铝片放入石英管中,再将石英管真空密封后,以5~10℃/分的速度升温到500℃,在500℃保温1h;二、取0.8~1.6ml氨水、8~16ml无水乙醇和8~12ml蒸馏水,在室温条件下搅拌、混合30分钟,调节pH值为9,得到混合液;三、将0.1~0.8ml去水山梨糖醇单油酸酯滴入步骤二所得混合液中,在室温下以150~250转/分的速度搅拌1h,形成均匀的乳状悬浮液;四、将0.1~0.2g高纯石墨放入步骤三所得乳状悬浮液中,搅拌30分钟,形成均匀的悬浮液;五、将步骤四所得悬浮液置入水...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张海礁赵国刚张海军
申请(专利权)人:黑龙江科技学院
类型:发明
国别省市:

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