40G PIN/TIA探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种40GPIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。本实用新型专利技术通过双透镜的准直和汇聚的方式，提高了耦合效率，保证了耦合响应度的稳定性，进而提高了组件的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通信行业内的光接收器件，尤其涉及一种采用双透镜封装结构的40G PIN/TIA探测器。
技术介绍
在光传输系统中，光接收机是重要的组成部分。对于单通道40Gb/s光传输系统来说，对 40G PIN/TIA (P-1-N photondiode/Transimpedance amplifier, P-1-N 结光电二极管/跨阻放大器)探测器接收组件的性能要求较高。传统的正面进光PIN-PD (P-1-Nphotondiode,光电二极管)结构探测器会导致PN结电容(PN junction capacitance)大和杂散电容大、载流子渡越时间长，从而限制了它的光响应速率或者带宽，因此结电容小、光吸收区厚度薄的侧面进光的波导型PIN结构得到了更广泛的应用。波导型PIN-PD的波导结构尺寸很小，一般为3*0.5um,与单模光纤的纤芯尺寸(9um光斑)相差较大，耦合效率很低。但是由于波导尺寸的限制，接收组件尾纤和探测器管芯之间的耦合效率成为了影响器件性能的关键因素。目前虽然采用了磨锥光纤，可以提高耦合效率，但其光路稳定性很差，可靠性难以达到要求。为解决这些问题，采用双透镜的耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种40G?PIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，其特征在于，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宿志成，宋旭宇，刘权，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：