本实用新型专利技术公开了一种40GPIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。本实用新型专利技术通过双透镜的准直和汇聚的方式，提高了耦合效率，保证了耦合响应度的稳定性，进而提高了组件的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光通信行业内的光接收器件，尤其涉及一种采用双透镜封装结构的40G PIN/TIA探测器。
技术介绍
在光传输系统中，光接收机是重要的组成部分。对于单通道40Gb/s光传输系统来说，对 40G PIN/TIA (P-1-N photondiode/Transimpedance amplifier, P-1-N 结光电二极管/跨阻放大器)探测器接收组件的性能要求较高。传统的正面进光PIN-PD (P-1-Nphotondiode,光电二极管)结构探测器会导致PN结电容(PN junction capacitance)大和杂散电容大、载流子渡越时间长，从而限制了它的光响应速率或者带宽，因此结电容小、光吸收区厚度薄的侧面进光的波导型PIN结构得到了更广泛的应用。波导型PIN-PD的波导结构尺寸很小，一般为3*0.5um,与单模光纤的纤芯尺寸(9um光斑)相差较大，耦合效率很低。但是由于波导尺寸的限制，接收组件尾纤和探测器管芯之间的耦合效率成为了影响器件性能的关键因素。目前虽然采用了磨锥光纤，可以提高耦合效率，但其光路稳定性很差，可靠性难以达到要求。为解决这些问题，采用双透镜的耦合方式，既大大提高耦合效率，也增强了光路的可靠性。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于提供一种既能大大提高耦合效率，也可增强光路可靠性的双透镜封装结构的40G PIN/TIA探测器。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种40G PIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。进一步地，所述透镜包括有前透镜和后透镜，所述前透镜设置在管壳的入口处，所述后透镜设置在波导型光电二极管和前透镜之间，所述前透镜、后透镜和波导型光电二极管设置在同一水平线上。进一步地，在所述管壳的入口处设置有入射光纤。进一步地，所述入射光纤为单模光纤。进一步地，所述后透镜下部设置有固定件。进一步地，所述波导型光电二极管与跨阻放大器的连接线为金丝。 进一步地，所述波导型光电二极管与跨阻放大器设置同一水平面上。进一步地，所述波导型光电二极管与跨阻放大器下部设置有水平支撑件。本技术通过双透镜的准直和汇聚的方式，提高了耦合效率，保证了耦合响应度的稳定性，进而提高了组件的可靠性。附图说明图1是本技术40G PIN/TIA探测器一实施例的结构图。图中，10.管壳，20.入射光纤，30.前透镜，40.后透镜，50.固定件，60.波导型PIN-PD,70.水平支撑件，80.金丝，90.跨阻放大器。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。如图1所示，为本技术40G PIN/TIA探测器一实施例的结构图，包括有管壳10，在所述管壳10内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型PIN-PD60，所述波导型PIN-PD60与跨阻放大器90电性连接。在所述管壳10外部对应管壳10入口处的位置设置有入射光纤20，所述入射光纤20为单模光纤，用于将接收光信号，并将光信号传输到管壳10内。本实施例中，在管壳10内设置有两个透镜，分别为前透镜30和后透镜40，所述前透镜30设置在管壳10的入口处，所述前透镜30用于单模光纤出光的准直处理，在所述波导型PIN-PD60和前透镜30之间设置有后透镜40，所述后透镜40用于前透镜30出光的汇聚。所述前透镜、后透镜和波导型PIN-PD设置在同一水平线上，为了保证前透镜30和后透镜40的轴心位置在同一条水平线上，在所述的后透镜40的下部设置有固定件50，在将前透镜30和后透镜40的轴心位置调整到同一条水平线上后，所述固定件50将后透镜40进行固定。所述波导型PIN-PD60，用于接收经后透镜40传输来的光信号，并将光信号转换为光电流信号，所述波导型PIN-PD60与跨阻放大器90电性连接，本实施例中，优选用金丝80连接波导型PIN-PD60与跨阻放大器90，便于光电流信号进入跨阻放大器90内，所述跨阻放大器90用于将光电流信号转换、放大为电平信号。为了将波导型PIN-PD60和跨阻放大器90设置在同一平面，在所述波导型PIN-PD60与跨阻放大器90下部设置有水平支撑件70。具体实施过程:首先在跨阻放大器90上电和波导型PIN-PD60加合适反偏电压，入射光信号通过入射光纤20进入，光束分别经过前透镜30的准直、后透镜20的汇聚作用，入射到进测器的波导PIN-PD60上，然后经过波导PIN-PD60将光信号转换为光电流信号，输出光电流到跨阻放大器90上，经过跨阻放大器60的转换和放大作用，输出电压信号。在耦合效率达到最大条件下，依次固定后透镜40、前透镜30以及入射光纤20，入射光纤20固定好后，再将管壳10密封，保证气密性。以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。权利要求1.一种40G PIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，其特征在于，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。2.根据权利要求1所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述透镜包括有前透镜和后透镜，所述前透镜设置在管壳的入口处，所述后透镜设置在波导型光电二极管和前透镜之间，所述前透镜、后透镜和波导型光电二极管设置在同一水平线上。3.根据权利要求2所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，在所述管壳的入口处设置有入射光纤。4.根据权利要求3所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述入射光纤为单模光纤。5.根据权利要求2所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述后透镜下部设置有固定件。6.根据权利要求1所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述波导型光电二极管与跨阻放大器的连接线为金丝。7.根据权利要求1所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述波导型光电二极管与跨阻放大器设置同一水平面上。8.根据权利要求7所述的40GPIN/TIA探测器，其特征在于，所述波导型光电二极管与跨阻放大器下部设置有水平支撑件。专利摘要本技术公开了一种40GPIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。本技术通过双透镜的准直和汇聚的方式，提高了耦合效率，保证了耦合响应度的稳定性，进而提高了组件的可靠性。文档编号G02B6/42GK203039695SQ20122070908公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月20日 优先权日2012年12月20日专利技术者宿志成, 宋旭宇, 刘权 申请人:武汉电信器件有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种40G?PIN/TIA探测器，包括有管壳和跨阻放大器，其特征在于，在所述管壳内设置有透镜，在与所述透镜的同一水平线上设置有波导型光电二极管，所述波导型光电二极管与跨阻放大器电性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宿志成，宋旭宇，刘权，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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