一种改进的平板天线制造技术

技术编号:8898284 阅读:215 留言:0更新日期:2013-07-09 01:23
本实用新型专利技术所述一种改进的平板天线,它包括平板天线,其特征是:在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷,让附着在陶瓷平板基体上的反射面电极与馈针之间留有空间。本实用新型专利技术在所述陶瓷平板基体上设一直径为2.0—3.5mm、深度为0.1—0.3mm的凹陷。本实用新型专利技术的有益效果是,由于在陶瓷平板基体上设一凹陷,让反射面电极不会接触到馈针在电路板上的焊接点,防止平板天线短路。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种改进的平板天线
技术介绍
平板天线由于其具有结构简单,便于批量生产,且性能可靠的特点,因此广泛采用在卫星定位,RFID射频读写等领域。平板天线是由一陶瓷平板基体,附着于陶瓷平板基体上的辐射面和反射面电极,以及贯穿陶瓷平板基体并于辐射面连接的馈针组成。使用时,将馈针伸出陶瓷平板基体的部分插入预定的电路板孔,焊接后使平板天线加入电路系统,可以起到接受或发射信号的作用。当平板天线放置于电路板上时,由于其背面朝下,对于线路较密集的电路板,有可能会发生平板天线反射面电极与馈针在电路板上的焊接点走线接触的现象,造成平板天线短路而无法工作。
技术实现思路
本技术的目的,是要提供一种改进的平板天线,避免出现由于反射面电极与馈针在电路板上的焊接点走线接触的现象,防止因此造成平板天线短路。本技术是这样实现的,所述一种改进的平板天线,它包括平板天线,其特征是:在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷,让附着在陶瓷平板基体上的反射面电极与馈针之间留有空间。本技术在所述陶瓷平板基体上设一直径为2.0—3.5mm、深度为0.1—0.3mm的凹陷。本技术的有益效果是,由于在陶瓷平板基体上设一凹陷,让反射面电极不会接触到馈针在电路板上的焊接点,防止平板天线短路。附图说明图1为本技术反射面示意图。图2为图1的右视图。图3为图2的局部放大图。图中:1.凹陷,2.陶瓷平板基体,3.反射面电极,4.馈针,5.辐射面电极。具体实施方式本技术所述一种改进的平板天线,如图1、2、3所示,在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷1,让附着在陶瓷平板基体2上的反射面电极3与馈针4之间留有空间。本技术在所述陶瓷平板基体上设一直径为2.0 — 3.5mm、深度为0.1—0.3_的凹陷。图2中还标有辐射面电极5。本技术由于在陶瓷平板基体上设一凹陷,让反射面电极不会接触到馈针在电路板上的焊接点,防止平板天线短路。本技术的加工方法,反射面电极及辐射面电极是通过丝网印刷的方式覆盖在陶瓷平板基体的正反两表面,采用高温金属化银电极的方式,使银电极与陶瓷平板基体粘接在一起,再使用焊锡,将馈针穿过陶瓷平板基体预定的孔并焊接在辐射面电极上。权利要求1.一种改进的平板天线,它包括平板天线,其特征是:在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷,让附着在陶瓷平板基体上的反射面电极与馈针之间留有空间。2.根据权利要求1所述一种改进的平板天线,其特征是:在所述陶瓷平板基体上设一直径为2.0一3.5mm、深度为0.1一0.3mm的凹陷。专利摘要本技术所述一种改进的平板天线,它包括平板天线,其特征是在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷,让附着在陶瓷平板基体上的反射面电极与馈针之间留有空间。本技术在所述陶瓷平板基体上设一直径为2.0—3.5mm、深度为0.1—0.3mm的凹陷。本技术的有益效果是,由于在陶瓷平板基体上设一凹陷,让反射面电极不会接触到馈针在电路板上的焊接点,防止平板天线短路。文档编号H01Q1/38GK203039104SQ20132001991公开日2013年7月3日 申请日期2013年1月15日 优先权日2013年1月15日专利技术者许慧云, 李太坤, 林康, 张志军, 邹海雄 申请人:厦门松元电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进的平板天线,它包括平板天线,其特征是:在平板天线的背面、馈针通过的位置,亦即在陶瓷平板基体上设一凹陷,让附着在陶瓷平板基体上的反射面电极与馈针之间留有空间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许慧云李太坤林康张志军邹海雄
申请(专利权)人:厦门松元电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1