【技术实现步骤摘要】
脂环族单体，包含该单体的聚合物以及包含所述聚合物的光致抗蚀剂组合物
技术介绍
基于短波辐射(例如在193nm处运行ArF准分子激光器产生)或其它类似的短波源的改进的光刻技术能用于通过增加集成电路的器件密度得到更快且更高效的半导体器件。可用于这种短波应用的光致抗蚀剂材料包括化学扩增型辐射敏感树脂组合物，它依赖于包含酸不稳定官能团的树脂组分和通过辐照产生酸的光致生酸剂的有效相互作用。用于ArF准分子激光器光刻技术的光致抗蚀剂材料的必需性质包括在193nm处的透明度(即低光学密度)，以及高抗蚀性，具有高碳密度和多环结构。可用的光致抗蚀剂平台树脂包括基于聚(甲基)丙烯 酸酯骨架和由大的叔烷基保护的羧酸部分的树脂，它在193nm处是高度透明的。对羧酸脱保护(本文中也称为“解封闭”)的效率与对比度和分辨率直接相关。已知多种不同的基于(甲基)丙烯酸酯的单体，具有对酸敏感的叔酯基团。例如，美国专利申请公开第2007/0275324A1号公开了基于包含叔中心的环烷基部分的(甲基)丙烯酸酯，其中酯氧与叔烷基环碳原子相连，所述叔烷基环碳原子在同一中心处具有另一烷基或环烷基取代基(即得到季中心)。使用这些单体制备的聚合物可以在光致抗蚀剂中提供对比度。但是，随着半导体器件临界尺寸(CD)的缩小，制备器件设计结点等于或小于45nm的器件仍需要能提供窄CD控制的较高分辨率光致抗蚀剂。
技术实现思路
现有技术的上述或其它问题可以通过具有式I结构的单体来克服:权利要求1.一种单体，具有式I的结构:2.如权利要求1所述的单体，其中R4是H、F、甲基或三氟甲基。3.如权利要求1或2所述的单体，其中R1，...
【技术保护点】
一种单体，具有式I的结构：式中R1,R2和R3各自独立地是C1?30单价有机基团，R1,R2和R3各自独立地是未取代的，或包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者包括至少一种上述官能团的组合；R4包括H,F,C1?4烷基或C1?4氟代烷基；A是单键或二价连接基团，其中A是未取代的，或被取代而包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者包括至少一种上述官能团的组合；m和n各自独立地为1?8的整数；和x是0至2n+2，y是0至2m+2。FDA00002680048000011.jpg
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘聪，李明琦，CB·徐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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