层叠片、及使用层叠片的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低并且在切割后能够从多个半导体元件同时剥离背磨带的层叠片。该层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在背磨带的粘合剂层上，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层叠片及使用层叠片的半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，已在广泛地利用通过倒装片接合将半导体芯片等半导体元件安装在基板上而得的倒装片型的半导体装置。该倒装片接合是以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态进行固定的连接方式。在倒装片接合后的半导体元件与基板之间形成空隙，以往对该空隙填充密封材(密封树脂等)进行密封。但是，一般而言，半导体元件与基板之间的空隙狭小，难以使液体的密封材不出现孔隙(void)而浸渗于该空隙中，存在需要花耗工序时间等问题。因此，以往公开了通过使用胶粘膜作为密封材并通过该胶粘膜粘接半导体元件和基板，从而简便且可靠地密封半导体元件和基板之间的空隙的方法(例如参照专利文献I 3)。此外，以往，根据半导体装置及其封装体的薄型化、小型化的要求，需要将半导体元件薄薄地进行磨削。专利文献4及专利文献5公开了具有对半导体元件薄薄地进行磨削的工序同时具有使用胶粘膜密封半导体元件与基板之间的空隙的工序的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平9-213741号公报专利文献2:日本特开平10-242208号公报专利文献3:日本特开平10-270497号公报专利文献4:日本特开2002-118147号公报专利文献5:日本特开2008-130588号公报
技术实现思路
专利文献4公开了包括下述U〕 〔g〕的步骤的、将半导体芯片装载于印刷布线基板的方法。U〕制造在合成树脂膜的一个面上设置热固化性树脂层而成的半导体芯片装载用片的步骤。〔b〕在半导体晶片的设有凸点电极的面上压接半导体芯片装载用片的热固化性树脂层的步骤。〔C〕对压接有半导体芯片装载用片的状态的半导体晶片的背面磨削成期望厚度的步骤。〔d〕在将背面经过磨削的半导体晶片压接在半导体芯片装载用片的状态下切割成单片的半导体芯片的步骤。〔e〕对利用切割而得的半导体芯片的凸点电极面上压接的半导体芯片装载用片的合成树脂膜进行剥离的步骤。〔f〕以半导体芯片的凸点电极与对应的印刷布线基板上的端子部正对并接触的方式进行定位的步骤。〔g〕将半导体芯片的凸点电极与印刷布线基板上的对应的端子部接合并且使热固化性树脂加热固化的步骤。专利文献4中，在维持压接有半导体芯片装载用片的状态下切割成单片的半导体芯片(参照上述〔d〕)，然后，对利用切割而得的半导体芯片的凸点电极面上压接的半导体芯片装载用片的合成树脂膜进行剥离(参照上述〔e〕)。但是，在这样的工序中，通过切割使合成树脂膜也被单片化，因此，在从半导体芯片剥离合成树脂膜时，无法从多个半导体芯片同时进行剥离，必须分别地进行剥离，存在需要花耗工时等问题。此外，专利文献5中公开了使用电子器件基板的电子器件系统的制造方法，所述电子器件基板具有彼此未进行电连接的多个电子元件、电极、在形成有电极的面上形成的半导体用胶粘组合物和层压在半导体用胶粘组合物上的塑料膜。该制造方法中，在电子器件基板的半导体胶粘组合物上形成粘合剂层，接着，对未形成电子元件的电子器件晶片面进行研磨加工，剥离塑料膜后，通过切割进行单片化，将单片化的带有半导体用胶粘组合物的电子元件搭载于电路基板上，使形成在电子元件上的电极和电路基板的上的电极直接接触，从而进行电连接。但是，专利文献5中，在剥离塑料膜后进行切割。即，半导体用胶粘组合物以露出的状态进行切割。因此，切割时的水吸附于半导体用胶粘组合物，导致倒装式安装时在半导体用胶粘组合物的层上产生空隙、孔隙。此外，还有可能附着切削屑。因此，存在发生胶粘力的降低、电气可靠性的降低等问题。本专利技术鉴于上述问题而作出，其目的在于，提供能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低并且在切割后能够从多个半导体元件一次性剥离背磨带的层叠片、以及使用层叠片的半导体装置的制造方法。本申请专利技术人等为了解决上述以往问题点而对层叠片及使用层叠片的半导体装置的制造方法进行了研究。其结果发现，通过使用以下的层叠片能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低，并且能够在切割后从多个半导体元件一次性剥离背磨带，以至完成了本专利技术，所述层叠片是一种胶粘片，其具备具有在基材上形成有粘合剂层的构成的背磨带、和在所述背磨带的所述粘合剂层上设置的树脂组合物层，其中，上述粘合剂层的拉伸弹性模量在特定的范围内，上述粘合剂层与上述树脂组合物层的T剥离强度在特定的范围内。S卩，本专利技术第一方面所涉及的层叠片，其特征在于，具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在上述背磨带的上述粘合剂层上，其中，上述粘合剂层的拉伸弹性模量在23°C下为0.1 5.0MPa，上述粘合剂层与上述树脂组合物层之间的T剥离强度在23°C、300mm/分钟的条件下为0.1 5N/20mm。上述层叠片是在半导体装置的制造方法中使用的层叠片，所述半导体装置的制造方法具备:将层叠片的树脂组合物层面与半导体晶片的电路面贴合而得到带层叠片的半导体晶片的工序；对上述带有层叠片的半导体晶片的未贴附层叠片的面进行磨削来使其薄化的工序；在薄化后的带有层叠片的半导体晶片的磨削面上贴合切割带而得到贴合有切割带和层叠片的半导体晶片的工序；从上述层叠片侧对上述贴合有切割带和层叠片的半导体晶片进行切割的工序；在切割后将粘合带贴附于上述层叠片的工序；以及将上述粘合带与上述背磨带一起从上述树脂组合物层剥离的工序。根据上述层叠片，由于以在树脂组合物层上贴附有背磨带的状态进行切割，因此能够抑制树脂组合物层吸收切割时的水或能够抑制切削屑附着在树脂组合物层上。其结果能够防止树脂组合物层的胶粘力降低、电气可靠性降低的发生。此外，由于上述粘合剂层与上述树脂组合物层的T剥离强度在23°C、300mm/分钟的条件下为0.lN/20mm以上，因此能够抑制切割时的背磨带的飞溅。此外，由于上述T剥离强度为5N/20mm以下，因此能够将粘合带与背磨带一起从树脂组合物层剥离。此外，由于上述粘合剂层的拉伸弹性模量在23°C下为0.1MPa以上，因此能够抑制切割时的背磨带的飞溅。此外，由于上述粘合剂层的上述拉伸弹性模量为5.0MPa以下，因此能够将粘合带与背磨带一起从树脂组合物层剥离。上述构成中，优选使上述树脂组合物层含有热固化性树脂。若上述树脂组合物层含有热固化性树脂，则在倒装式安装半导体元件时能够成为半导体元件与被粘体之间的密封材。上述构成中，优选使上述热固化性树脂为环氧树脂。此外，本专利技术第一方面所涉及的半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了层叠片的半导体装置的制造方法，所述层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在上述背磨带的上述粘合剂层上，其中，上述粘合剂层的拉伸弹性模量在23°C下为0.1 5.0Pa，上述粘合剂层与上述树脂组合物层之间的T剥离强度在23°C、300mm/分钟的条件下为0.1 5N/20mm，该制造方法具备:将上述层叠片的树脂组合物层面与半导体晶片的电路面贴合而得到带层叠片的半导体晶片的工序；对上述带有层叠片的半导体晶片的未贴附层叠片的面进行磨削而使其薄化的工序；在薄化后的带有层叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠片，其特征在于，具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在所述背磨带的所述粘合剂层上，其中，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与所述树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。

【技术特征摘要】
2011.12.12 JP 2011-271279;2011.12.12 JP 2011-27121.一种层叠片，其特征在于，具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在所述背磨带的所述粘合剂层上，其中， 所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23°C下为0.1 5.0MPa, 所述粘合剂层与所述树脂组合物层之间的T剥离强度在23°C、300mm/分钟的条件下为0.1 5N/20mm。2.根据权利要求1所述的层叠片，其特征在于，所述树脂组合物层含有热固化性树脂。3.根据权利要求1或2所述的层叠片，其特征在于，所述热固化性树脂为环氧树脂。4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了层叠片的半导体装置的制造方法，所述层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被...

【专利技术属性】
技术研发人员：千岁裕之，田中俊平，水野浩二，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：