集成电路封装以及封装方法技术

本发明专利技术公开了集成电路封装以及封装方法。一种集成电路封装方法包括：由限定电路互连的连续建立层制造封装模块；在封装模块的顶侧上形成腔；将芯片的金属化后侧附着到金属层，所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧；将所述芯片布置在所述腔中，使得至少一个前部触点被电连接到封装模块的电路互连中的至少一个；以及将附着到芯片的金属层耦合到封装模块的顶侧上。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于制造电路的装置和方法，并且更特别地涉及用于封装集成电路的装置和方法。
技术介绍
集成电路(IC)芯片通常被结合到封装中。这种封装例如提供物理的和环境的保护以及热消散。而且，封装的芯片典型地提供电引线以允许与另外的部件相集成。已经开发出几种IC封装技术。一种这样的技术例如在2006年7月27日提交的并于2007年2月I日公布为US2007/0025092A1的、顺序号为11/494，259的、Lee等人的美国专利申请“Embedded Actives and Discrete Passives in a Cavity Within Build-upLayers”中被描述，该申请的内容由此被全部结合以作参考。Lee等人尤其公开了所谓的芯片最后嵌入(chip-last)方法。与芯片首先嵌入或芯片中间嵌入工艺形成对比，芯片最后嵌入方法是在完成所有建立层(build-up layer)工艺之后嵌入给定的芯片。该方法的优点现在是众所周知的，然而，芯片最后嵌入的封装不被认为适合于所有芯片类型。例如，对于具有后侧触点(back-side contact)的1C，以及对于其操作参数需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路封装方法，包括：由限定电路互连的连续建立层制造封装模块；在所述封装模块的顶侧上形成腔；将芯片的金属化后侧附着到金属层上，所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧；将所述芯片布置在所述腔中，使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个；以及将附着到所述芯片的所述金属层耦合到所述封装模块的顶侧上。

【技术特征摘要】
2011.12.15 US 13/326,5271.一种集成电路封装方法，包括: 由限定电路互连的连续建立层制造封装模块； 在所述封装模块的顶侧上形成腔； 将芯片的金属化后侧附着到金属层上，所述芯片具有带有至少一个前部触点的前侧；将所述芯片布置在所述腔中，使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个；以及 将附着到所述芯片的所述金属层耦合到所述封装模块的顶侧上。2.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，将芯片的金属化后侧附着到金属层上是利用高温工艺完成的。3.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，将芯片的金属化后侧附着到金属层上是利用扩散焊接工艺完成的。4.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，所述金属层是金属箔层。5.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，所述芯片的后侧具有低欧姆触点。6.如权利要求5所述的集成电路封装方法，其中，电流在所述低欧姆触点和所述芯片的至少一个前部触点之间垂直地流动。7.如权利要求6所述的集成电路封装方法，其中，所述低欧姆触点被电连接到所述金属层，并且通过其被连接到在所述封装模块中形成的一个或多个通路。8.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，所述金属层具有导热特性。9.如权利要求8所述的集成电路封装方法，还包括将所述金属层附着到热沉。10.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，所述芯片还包括直通硅通路。11.如权利要求1所述的集成电路封装方法，其中，所述金属层通过隔离中间层被耦合到所述芯片的后侧或者所述封装模块的顶侧。12.—种集成电路封装，包括: 由限定电路互连的连续建立层形成的封装模块； 在所述封装模块的顶侧上形成的腔； 具有前侧并且具有金属化后侧的芯片，所述前侧具有至少一个前部触点；以及附着到所述芯片的后侧的至少一部分的金属层，其中所述芯片被布置在所述腔中，使得至少一个前部触点被电连接到所述封装模块的电路互连中的至少一个，并且所述金属层覆盖所述封装模块的顶侧的至少一部分。13.如权利要求12所述的集成电路封装，其中，所述金属层是金属箔层。14.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·德赫，G·迈耶贝格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：