半导体晶片,抛光装置和方法制造方法及图纸

一种用于抛光半导体晶片的晶片抛光装置。该抛光机包括一个基体（２３）、一个回转台（２７）、一个抛光垫（２９）和一个用于驱动抛光头（６３）旋转的驱动机构（４５）。该抛光头适于保持至少一个晶片（３５），用于将该晶片的前表面与该抛光垫的工作表面接合。一个球面轴承组件（７５）将该抛光头（６３）安装在驱动机构上，用于当抛光头保持晶片与抛光垫接合时，将该抛光头绕一个位于不高于工作表面的万向节点（Ｐ）枢转。该枢转允许晶片前表面的平面连续地将自身找正，以均衡在晶片前表面上的抛光压力，而抛光头的旋转由该驱动机构驱动。这将前表面和工作表面保持为一种连续平行的关系，用于一个半导体晶片尤其是在晶片侧边缘附近的更均匀的抛光。还公开了一种晶片盒和抛光方法。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,抛光装置和方法
技术介绍
本专利技术涉及用于抛光半导体或相似类型材料的装置，并更具体地涉及有助于均衡(平衡)在抛光的晶片表面上和/或在该装置的抛光头上的向下压力的装置。抛光一物件以产生一个高度反射并且无损害的表面已用于多种领域。当抛光例如半导体材料晶片的物件，以准备通过电子束曝光或光刻工艺(以下称作“光刻法”或“平版印刷术”)用于在晶片上印刷电路时，需要一种特别好的抛光。为了保持线的分辨率，其可以细到0.13微米(5.1微英寸)或更细，待印刷电路的晶片表面的平面度是关键的。当使用步进光刻工艺时，对平坦的晶片表面尤其是在该表面的分散区域上的局部平面度的需要更为重要。在相对晶片的一个基准平面(例如格点(点位，地点)最佳基准平面，Site Best Fit Reference Plane)测量时，平面度按照整体平面度变化参数(例如，总厚度变化(“TTV”))或按照局部格点平面度变化参数(例如，格点总指示读数，Site Total Indicated Reading(“STIR”))或格点焦面偏差(Site Focal Plane Deviation“SFPD”))量化。STIR是表面在晶片的小本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶片抛光装置，它包括：一个用于支承抛光装置的元件的基体；一个上面具有一个抛光垫并安装在基体上的回转台，用于回转台和抛光垫相对于基体绕一个垂直于回转台和抛光垫的轴线旋转，所述抛光垫包括一个可以与一个晶片的前表面接合用于抛光所述晶片的前 表面的工作表面；一个安装在所述基体上用于产生绕一个基本上与回转台轴线平行的轴线的旋转运动的驱动机构；一个连接到用于抛光头的驱动旋转的驱动机构的抛光头，所述抛光头适于保持至少一个晶片，用于将所述晶片的前表面与抛光垫的工作表面接合；和 一个球面轴承组件，所述球面轴承组件将所述抛光头安装在驱动机构上，用于当抛光头保持晶片与抛光垫接合时...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：E博维奥，P科尔贝利尼，M莫尔甘蒂，G内格里，PD阿尔布雷克特，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]