【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械研磨装置以及方法，特别涉及一种能够清洗研磨 头及研磨垫的化学机械研磨装置以及方法。
技术介绍
随着半导体行业的进步，0.35um、 0.18um等的技术早已成熟，90nm、 65nm 的时代已经到来，为了取得更好的良品率，减少芯片生产过程中带来的缺陷就 显得更加重要。化学机械研磨是芯片生产众多工艺中必不可少的一步，芯片在化学机械研 磨过程中，研磨头承载着芯片并施加一定的压力将芯片压在研磨垫上研磨。研 磨垫上有一定密度的沟槽或孔洞用以保持研磨液，如果这些沟槽或孔洞中存有 研磨液结晶或者落入其他颗粒，依靠去离子水的喷洒无法将其去除，随着研磨 垫的使用，沟槽或孔洞逐渐变浅，这些结晶或者颗粒暴露出来，将附着在芯片 表面或造成芯片表面微划伤，严重影响芯片良品率。此外，由于研磨头上也有缝隙，同样有机会藏有研磨液结晶或其他颗粒， 造成芯片表面的微划伤，影响芯片良品率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种化学机械研磨装置以及清洗研磨垫、研磨头的 方法，其能够有效地去除芯片在化学机械研磨过程中沉积的樣支小结晶或者颗粒， 避免其造成芯片表面微划伤，进而...
【技术保护点】
一种化学机械研磨装置，其包括研磨平台，设置于研磨平台上的研磨垫，用于承载芯片，并有一相对于研磨垫运动的研磨头，其特征在于，所述化学机械研磨装置还包括： 一套筒，套装在所述研磨平台外围，可沿研磨平台外壁作升降运动，当套筒升起时，在研磨平台上方形成一水槽； 至少一超声波传感器，安装在所述的水槽内；以及 至少一进水孔，设置于所述的水槽中，并向水槽内注水。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王怀峰，张伟光，党国锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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