功率半导体器件的电流校正电路和电流校正方法技术

一种电流校正单元，具有连接至功率半导体器件的感测端子的电流检测端子，且该电流校正单元内的电流-电压转换电路通过将感测电流转换为电压来检测感测电流。此外，温度检测单元检测功率半导体器件周围的温度，且校正计算单元，基于所检测到的温度来执行预定运算，用于校正温度特性差异并藉此向可变电压源输出控制信号。该可变电压源根据该输出控制信号改变其输出电压，且通过所改变的电压值来调节位于功率半导体感测端子处的电压。这校正了功率半导体器件的主区和感测区之间的特性差异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电流校正电路和电流校正方法，其检测流向功率半导体器件(诸如二极管或晶体管(双极晶体管、MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)、或IGBT (绝缘栅双极晶体管))的感测电流并校正主区和感测区之间的特性差异。
技术介绍
包括IGBT和续流二极管(以下简称FWD)的IGBT模块是功率半导体器件，该IGBT模块用于诸如逆变器或DC (直流)斩波电路之类的功率转换装置中。一般而言，有 必要检测输出电流从而控制该功率转换电路。一般而言，主要用如下两个方法来检测输出电流:(1)使用电流检测器的方法，电流检测器诸如是电流变压器或DC-CT (直流-电流变压器)；和(2)使用电流检测电阻器(称为分流电阻器)的方法。然而，根据现有技术的电流检测方法具有如下问题。在使用电流变压器的该方法中，由于使用了霍尔传感器或磁心，装置昂贵。此外，由于使用了磁心，检测器的大小增加且在减少功率半导体器件的大小方面存在限制。在使用分流电阻器的该方法中，由于发生了电阻器引起的功率损失，功率转换装置的功率转换效率被减少。此外，电阻器的大小增加从而允许较大的损失，且在在减少功率半导体器件的大小方面存在限制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.06 JP 2011-1496521.一种功率半导体器件的电流校正电路，包括: 具有感测功能的功率半导体器件，被分为主区(主区)和感测区(电流检测区)且包括连接至所述主区的端子(主端子)和连接至所述感测区的端子(感测端子); 设置于所述功率半导体器件附近的温度检测单元；和 电流校正单元，连接至所述感测端子和所述温度检测单元， 其中所述温度检测单元包括检测所述功率半导体器件的环境温度的温度检测装置和将所检测到的所述功率半导体器件的环境温度输出至所述电流校正单元的端子， 所述电流校正单元包括: 电流检测单元，包括将从所述感测端子输入的感测电流转换为电压的电流-电压转换电路； 校正单元，包括运算电路，所述运算电路以从所述温度检测单元输入的温度信息、和其自身设定的值或来自外部的值为基础执行预定运算，并向可变电压源输出控制信号，所述控制信号用于校正由于所述温度引起的电流感测比中的变化；和 所述可变电压源，在从所述校正单元输出的所述控制信号的基础上改变输出电压，所述电流检测单元的输出端子和所述校正单元的输出端子连接至所述可变电压源的控制输入端子， 所述温度检测单元的输出端子连接至所述校正单元的温度信息输入端子， 所述功率半导体器件的感测端子连接至所述电流检测单元的电流输入端子， 根据所述功率半导 体器件的所述环境温度和流向所述感测端子的电流调节来自所述可变电压源的所述输出电压，从而调节所述感测端子的电位，藉此校正所述功率半导体器件的所述主区和所述感测区之间的特性差异。2.如权利要求1所述的功率半导体器件的电流校正电路，其特征在于， 其中所述可变电压源分为第一可变电压源和第二可变电压源， 所述校正单元包括第一校正单元和第二校正单元， 所述电流检测单元、所述第一可变电压源、和所述第二可变电压源彼此串联连接， 所述第一校正单元连接至所述第一可变电压源， 所述第二校正单元和基准电压源连接至所述第二可变电压源， 所述第一校正单元的输出端子连接至所述第一可变电压源的控制端子，根据流向所述感测端子的所述电流来调节来自所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛铁也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：
国别省市：