晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体晶圆的切割以及通过切割而得到的半导体芯片的芯片焊接等中所使用的晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及使用该晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年，移动设备的多功能化以及轻量小型化的要求迅速提高。伴随于此，对于半导体芯片的高密度安装的需求强烈，特别是层叠半导体芯片的堆叠式多芯片封装(StackedMulti Chip Package)的开发成为其中心。在堆叠式多封装中，在芯片焊接工序中有时将半导体芯片彼此层叠及粘接。在这样的半导体芯片的制造工序中，能够在切割工序中的半导体晶圆的固定、芯片焊接工序中的半导体芯片与引线框等的粘接中并用的晶圆加工用胶带的导入得以推进(参照例如专利文献I)。当制造这样的晶圆加工用胶带时，首先，准备在剥离基材上形成粘接剂层而成的粘接膜和在基材膜上形成粘着剂层而成的切割膜，并使粘接剂层与粘着剂层面对面并粘贴在一起。接下来，将基材膜、粘接剂层及粘着剂层与晶圆形状相应而进行预切割加工，得到期望形状的晶圆加工用胶带。现有技术文献(专利文献)专利文献1:日本特开2009-88480号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题当使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.15 JP 2010-232726;2011.02.25 US 61/446,9871.一种晶圆加工用胶带，其特征在于，在半导体晶圆的加工时粘贴在晶圆环上而使用，该晶圆加工用胶带具有: 剥离基材，构成胶带的基部； 粘接剂层，与上述半导体晶圆的平面形状对应地、设置在上述剥离基材的一面侧； 粘着剂层，以覆盖上述粘接剂层的方式设置；以及 基材膜，以覆盖上述粘着剂层的方式设置， 上述粘着剂层以及上述基材膜的向上述粘接剂层的外侧延伸的区域成为对上述晶片环的粘贴区域， 在上述粘贴区域中，以从上述基材膜侧起到达上述剥离基材的深度形成有俯视时朝向上述粘接剂层的中心侧的凸状的切口部。2.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于， 沿着上述粘贴区域排列多个上述切口部。3.如权利要求1或2所述的晶圆加工用胶带，其特征在于， 上述切口部还具有俯视时朝向上述粘接剂层的外侧的凸状的部分。4.如权利要求1 3中任一项所述的晶圆加工用胶带，其特征在于， 上述切口部不贯通上述剥离基材。5.如权利要求1 4中任一项所述的晶圆加工用胶带,其特征在于， 在将上述剥离基材的厚度设定为a、将上述切口部的深度设定为d时，满足0〈d/a < 0.7。6.—种切割胶带，其特征在于，在半导体晶圆的切割时粘贴在晶圆环上而使用，该切割胶带具有: 剥离基材，构成胶带的基部； 粘着剂层，设置在上述剥离基材的一面侧；以及 基材膜，以覆盖上述粘着剂层的方式设置， 俯视时上述粘着剂层以及上述基材膜的外缘部成为对上述晶圆环的粘贴区域， 在上述外缘部中，以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向上述粘着剂层的中心侧的凸状的切口部。7.一种晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，是在半导体晶圆的加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口纮平，松崎隆行，加藤慎也，小森田康二，增野道夫，作田龙弥，加藤理绘，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：
国别省市：