发光材料和使用其的有机发光元件、波长变换发光元件、光变换发光元件、有机激光二极管发光元件、色素激光器、显示装置以及照明装置制造方法及图纸

发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少1个通过量子化学计算（Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G）算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的p轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
·本专利技术涉及发光材料和使用其的有机发光元件、波长变换发光元件(色变换发光元件)、光变换发光元件、有机激光二极管发光元件、色素激光器、显示装置以及照明装置。本申请基于2010年10月6日在日本申请的特愿2010-226741号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
面向有机EL (电致发光)元件的低消耗电力化，进行了高效率的发光材料的开发。利用来自三重激发态的发光的磷光发光材料与仅利用来自单重激发态的荧光发光的荧光发光材料相比，能够实现高的发光效率，因此，进行了磷光发光材料的开发。目前，在有机EL元件的绿色像素和红色像素中导入了能够实现内部量子收率最大约100%的磷光材料类，但在蓝色像素中使用了内部量子收率最大约25%的荧光材料类。这是因为:蓝色发光与红色或绿色的发光相比为高能量，当想要由来自三重态激发能级的磷光发光得到高能量的发光时，分子结构内的不能经受高能量的部分容易劣化。作为蓝色磷光材料，已知有为了得到高能量的三重激发态，将氟等吸电子基团作为取代基导入到配位体中的铱(Ir)配位化合物(例如，参照非专利文献I 5。)。但是，导入了吸电子基团的蓝色磷光材料虽然发光效率比较良好，但是，光耐性差、寿命短。另外，报道有:即使不导入吸电子基团，在使用碳烯配位体的配位化合物中也能够进行短波长的发光(参照非专利文献6和专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4351702号公报非专利文献非专利文献1:Angew.Chem.1nt.Ed.，2008，47, 4542-4545非专利文献2: Chem.Eur.J.，2008，14，5423-5434非专利文献3:1norg.Chem.,Vol.47, N0.5，2008，1476-1487非专利文献4:有機EL rM ^ 7° 才一 ^社時任静士、安達千波矢、村田英幸共著(有机EL显示器欧姆社时任静士、安达千波矢、村田英幸合著)非专利文献5:Highly Efficient OLEDs with PhosphorescentMaterials, VILEY-VCH, Edited by Hartmut Yersin非专利文献6:1norg.Chem.，44，2005，799
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题非专利文献6和专利文献I中记载的发光材料，即使不导入使光耐性降低的吸电子基团也发出蓝色磷光，但发光效率低。因此，期望开发即使不导入吸电子基团也能够以高的发光效率发蓝色光的发光材料。本专利技术的方式是基于这样以往的实际情况而做出的，提供高效率的发光材料和使用其的有机发光元件、波长变换发光元件、光变换发光元件、有机激光二极管发光元件、色素激光器、显示装置以及照明装置。用于解决技术问题的手段本专利技术人为了解决上述技术问题反复进行了潜心研究，结果发现了作为本专利技术的一方式的以下的技术方案。作为本专利技术的一方式的发光材料包含过渡金属配位化合物,该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述过渡金属配位化合物的中心金属可以为选自Ir、Os、Pt、Ru、Rh和Pd中的I种金属。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述配位体可以具有选自碳烯、硅烯、锗烯、锡烯、硼烯、铅烯和氮烯中的骨架。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述配位体可以在骨架中含有选自B、Al、Ga、In和Tl中的I种元素。 作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述与金属配位的元素可以为碳原子，上述位于最外层的P轨道的电子密度可以为通过上述量子化学计算算出的最高占有轨道中的2p轨道上的电子密度。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述配位体可以具有碳烯骨架。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述配位体可以为在骨架中具有硼原子的碳烯配位体。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述碳烯骨架可以具有芳香族性的部位。 作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述过渡金属配位化合物可以为铱配位化合物。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述过渡金属配位化合物可以为配位有3个双齿配位体的三体，含有的mer体(meridional:经式异构体)可以比fac体(facial:面式异构体)多。作为本专利技术的一方式的发光材料中，上述铱配位化合物可以具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且为0.263以下的配位体。作为本专利技术的一方式的有机发光兀件具有:包含发光层的至少一层有机层；和夹持上述有机层的一对电极，上述有机层含有发光材料，上述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。作为本专利技术的一方式的有机发光兀件中，上述发光材料可以含有在上述发光层中。作为本专利技术的一方式的波长变换发光兀件具备:有机发光兀件；和突光体层，该荧光体层配置在上述有机发光元件的取出光的面侧，构成为吸收来自上述有机发光元件的发光，进行与吸收光不同的波长的发光，上述有机发光兀件具有:包含发光层的至少一层有机层；和夹持上述有机层的一对电极，上述有机层含有发光材料，上述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。作为本专利技术的一方式的波长变换发光兀件具备:发光兀件；和突光体层，该突光体层配置在上述发光元件的取出光的面侧，构成为吸收来自上述发光元件的发光，进行与吸收光不同的波长的发光，上述荧光体层含有发光材料，上述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DF T/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。作为本专利技术的一方式的光变换发光元件具备:包含发光层的至少一层有机层；使电流放大的层；和夹持上述有机层和上述使电流放大的层的一对电极，上述发光层通过在主体材料中掺杂发光材料而形成，上述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。作为本专利技术的一 方式的有机激光二极管发光兀件包括:激发光源；和被照射上述激发光源的共振器结构，上述共振器结构具有:包含激光活性层的至少一层有机层；和夹持上述有机层的一对电极，上述激光活性层通过在主体材料中掺杂发光材料而形成，上述发光材料包含过渡金属配位化合物，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.06 JP 2010-2267411.一种发光材料，其特征在于: 包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。2.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述过渡金属配位化合物的中心金属为选自Ir、Os、Pt、Ru、Rh和Pd中的I种金属。3.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述配位体具有选自碳烯、硅烯、锗烯、锡烯、硼烯、铅烯和氮烯中的骨架。4.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述配位体在骨架中含有选自B、Al、Ga、In和Tl中的I种元素。5.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述与金属配位的元素为碳原子， 所述位于最外层的P轨道的电子密度为通过所述量子化学计算算出的最高占有轨道中的2p轨道上的电子密度。6.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述配位体具有碳烯骨架。7.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述配位体为在骨架中具有硼原子的碳烯配位体。8.如权利要求6所述的发光材料，其特征在于: 所述碳烯骨架具有芳香族性的部位。9.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述过渡金属配位化合物为铱配位化合物。10.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于: 所述过渡金属配位化合物为配位有3个双齿配位体的三体，含有的mer体(meridional:经式异构体)比fac体(facial:面式异构体)多。11.如权利要求9所述的发光材料，其特征在于: 所述铱配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且为0.263以下的配位体。12.—种有机发光元件，其特征在于，具有: 包含发光层的至少一层有机层；和 夹持所述有机层的一对电极， 所述有机层含有发光材料， 所述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。13.如权利要求12所述的有机发光元件，其特征在于: 所述发光材料含有在所述发光层中。14.一种波长变换发光元件，其特征在于，具备:有机发光元件；和 荧光体层，该荧光体层配置在所述有机发光元件的取出光的面侧，构成为吸收来自所述有机发光兀件的发光，进行与吸收光不同的波长的发光， 所述有机发光兀件具有:包含发光层的至少一层有机层；和夹持所述有机层的一对电极， 所述有机层含有发光材料， 所述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。15.—种波长变换发光兀件,其特征在于,具备: 发光兀件；和 荧光体层，该荧光体层配置在该发光元件的取出光的面侧，构成为吸收来自所述发光兀件的发光，进行与吸收光不同的波长的发光， 所述荧光体层含有发光材料，· 所述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。16.—种光变换发光兀件,其特征在于,具备: 包含发光层的至少一层有机层； 使电流放大的层；和 夹持所述有机层和所述使电流放大的层的一对电极， 所述发光层通过在主体材料中掺杂发光材料而形成， 所述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。17.一种有机激光二极管发光元件，其特征在于，包括: 激发光源；和 被照射所述激发光源的共振器结构， 所述共振器结构具有:包含激光活性层的至少一层有机层；和夹持所述有机层的一对电极间， 所述激光活性层通过在主体材料中掺杂发光材料而形成， 所述发光材料包含过渡金属配位化合物，该过渡金属配位化合物具有至少I个通过量子化学计算(Gaussian09/DFT/RB3LYP/6-31G)算出的最高占有轨道能级的与金属配位的元素部位的位于最外层的P轨道的电子密度大于0.239且小于0.711的配位体。18.—种色素激光器,其特征在于,具备: 含有发光材料的激光介质；和使来自所述激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本健，大江昌人，藤田悦昌，近藤克己，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：