一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法技术

本发明专利技术公开了一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，包括如下步骤：步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化硅层暴露出来；步骤3，回刻抗反射层到所需要的厚度，使得源漏注入到多晶硅里面的同时，又能达到合适的源漏结深；步骤4，选择性地进行多晶硅杂质注入，保证杂质离子注入到多晶硅里面，并且尽量少的注入到源漏区域；步骤5，去除抗反射层；步骤6，选择性的进行源漏离子注入。该方法可以使源漏杂质离子注入到多晶硅里面去，又避免源漏注入结深太深。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，具体涉及一种CMOS制造工艺，尤其是一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法。
技术介绍
在某些特定的CMOS (互补金属氧化物半导体)制造工艺中，多晶硅上需要淀积氮化硅，而在SRAM(是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据)工艺中，栅氧化层上面需要有金属连线，所以在此工艺流程中，与常规的CMOS制造工艺不同的是，在多晶硅淀积之后，需要先淀积一层硅化钨，再淀积一层氮化硅。所以在后续的源漏注入的时候，很难注入到多晶硅里面去，注入能量小的话不能穿通硅化钨和氮化硅，注入能量大的话，源漏的结深太深，源漏区域的横向扩散容易导致晶体管穿通。如果在多晶硅poly淀积完之后直接进行多晶硅掺杂注入的话，特别对于深亚微米器件来讲，栅氧化层很薄，由于后续有很多热过程，包括多晶硅再氧化，侧墙形成的热过程，轻掺杂漏氧化，源漏热氧化等，容易使多晶硅中的硼穿过栅氧化层扩散到晶体管沟道里面去，引起晶体管性能的不稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化硅层暴露出来；步骤3，回刻抗反射层到所需要的厚度，使得源漏注入注入到多晶硅里面的同时，又能达到合适的源漏结深；步骤4，选择性地进行多晶硅杂质注入，保证杂质离子注入到多晶硅里面，并且尽量少的注入到源漏区域；步骤5，去除抗反射层；步骤6，选择性的进行源漏离子注入。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董金珠，胡君，罗啸，刘冬华，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：