温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种在CMOS源漏注入前进行多晶硅掺杂的方法，包括如下步骤：步骤1，在晶体管的侧墙形成后，在硅片上整体淀积一层抗反射层；该晶体管的多晶硅栅上依次有硅化钨与氮化硅层；步骤2，用化学机械研磨的方法把抗反射层磨平，使得多晶硅上面的氮化...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。