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一种生长易吸潮单晶体的设备制造技术

技术编号:8797924 阅读:233 留言:0更新日期:2013-06-13 03:55
本发明专利技术公开了一种生长易吸潮单晶体的设备,该设备主要包括上部分炉体和下部分密封室组成,上部分炉体上设有旋转提拉电机、炉盖、提拉杆、控温设备,石英管、炉底、进气设备,下部分密封室内包括支撑杆、调整设备和底座,该密封室通过底座与地面固定。本发明专利技术中可以减小气体大范围流动,可以更加方便的调节热场内的温度梯度分布,提高温场热稳定性;密封系统的结构提高了热系统的热效率;石英管底部进气设备,可实现气氛保护和压力控制,或对掺杂气体进行气量的精确控制;底部调整设备可以升降支撑杆的高度;顶部旋转提拉电机可以根据不同要求对籽晶杆、坩埚等设备状态进行设置调整。炉膛顶部预留观测窗,可以实时观察晶体生长状况和坩埚位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于熔体法生长单晶的
,具体涉及一种生长易吸潮单晶体的设备
技术介绍
晶体能够实现电、磁、光、声和力等的交互作用和转换,它是近代科学技术发展中不可缺少的重要材料。天然晶体无论在品种、质量和数量等方面,都远远不能满足近代科学技术发展的需要,因而促进了人工晶体的发展。同时晶体的生长设备一一单晶生长炉也得到了飞速的发展。一些人工晶体尽管具有优异的电、磁、光、声以及力等性能,但是由于自身结构所决定的易吸潮的特性影响了其在实际中的应用。晶体质量的好坏直接决定了晶体潮解开裂的快慢,而生长晶体时的环境湿度直接影响到晶体质量的优劣。例如,CsLiB6Oltl (CLBO)晶体具有优异的非线性光学性能,其透光范围宽、非线性光学系数大、双折射适中、离散角小、激光损伤阈值高,允许角、允许波长、允许温度等允许参量范围宽,特别是晶体生长周期短,容易生长出大尺度单晶,使其在全固态紫外激光领域具有良好的实际应用前景。但由于CsLiB6Oltl晶体在大气中易潮解的特性,从而限制了它的应用范围。采用顶部籽晶法生长CsLiB6Oltl晶体时,易受空气扰动以及空气中水汽的影响,从而限制了生长质量优异的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长易吸潮单晶体的设备,其特征在于:该设备主要包括上部分炉体(5)和下部分密封室(9)组成,其中,上部分炉体(5)上设有旋转提拉电机(1)、炉盖(2)、提拉杆(3)、控温设备(17),石英管(6)、炉底(8)、进气设备(13),下部分密封室(9)内包括支撑杆(10)、调整设备(11)和底座(15),该密封室(9)通过底座(15)与地面固定,在炉体(5)内中间设置炉膛(16),炉体(5)内的炉膛(16)的外周安装有温区设置的控温设备(17),炉盖(2)紧密扣合在炉体(5)上方,提拉杆(3)穿过炉盖(2)可上下往复运动,提拉杆(3)顶部与旋转提拉电机(1)固定连接,提拉杆(3)下端可拆卸的安装...

【技术特征摘要】
1.一种生长易吸潮单晶体的设备,其特征在于:该设备主要包括上部分炉体(5)和下部分密封室(9)组成,其中,上部分炉体(5)上设有旋转提拉电机(I)、炉盖(2)、提拉杆(3)、控温设备(17),石英管(6)、炉底(8)、进气设备(13),下部分密封室(9)内包括支撑杆(10)、调整设备(11)和底座(15),该密封室(9)通过底座(15)与地面固定,在炉体(5)内中间设置炉膛(16),炉体(5)内的炉膛(16)的外周安装有温区设置的控温设备(17),炉盖(2)紧密扣合在炉体(5)上方,提拉杆(3)穿过炉盖(2)可上下往复运动,提拉杆(3)顶部与旋转提拉电机(I)固定连接,提拉杆(3)下端可拆卸的安装有籽晶或悬挂坩埚(4),支撑杆(10)顶部固定安装有坩埚托(12),石英管(6)固定安装在坩埚托(12)上,炉体(5)内石英管(6) —侧底部连接有进气设备(13),石英管(6)内部底部的坩埚托(12)上放置坩埚,支撑杆(10)、坩埚托(12)和石英管(6)整体穿过炉底(8)中心底部,石英管(6)位于炉膛(16)的中心位置与提拉杆(3)相配合使用,支撑杆(10)和坩埚托(12)位于密封室(9)的中心位置,通过进气设备(13)往石英管(6)中通入干燥气氛,支撑杆(10)的下部设置有调整设备(11...

【专利技术属性】
技术研发人员:王增梅王珠峰
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:

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