一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法技术

本发明专利技术提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明专利技术提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅单晶的制备
，尤其是涉及。
技术介绍
直拉区熔硅单晶生产技术克服了传统直拉法和区熔法生产工艺中的固有缺陷，易于规模化生产。由直拉区熔法制得的硅单晶具有良好的性能价格比，且具有易于掺入特殊固态杂质元素的特性，所以在半导体材料领域具有广阔的市场和应用前景。但目前用于太阳能领域的直拉区熔硅单晶，在其制备工艺中的区熔阶段单晶是单方向旋转的，所以气相掺杂过程中，掺杂剂和氧碳等分布不均，仍然会出现直拉硅单晶常见的黑心现象，且其径向均匀性差，影响由其制得的太阳能电池片的转换效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供，尤其适合用于改善太阳能级硅单晶的光伏性能。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是::在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转 动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。进一步，所述正向角度和所述反向角度的比值为一预设值。进一步，所述正向角度和所述反向角度之比为380:620。进一步，所述正向角度为100° -800°，所述反向角度为50° -750°。本专利技术具有的优点和积极效果是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。

【技术特征摘要】
1.一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于:在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。2.根据权利要求1所述的利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于:所述正向角度和...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔柳，王彦君，张雪囡，刘嘉，孙健，王遵义，涂颂昊，刘铮，冯啸桐，孙昊，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：