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本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法:在区熔阶段的等径生长工艺中,在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下,使下转电机正向、反向交替转动,所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀...该专利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津市环欧半导体材料技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法:在区熔阶段的等径生长工艺中,在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下,使下转电机正向、反向交替转动,所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀...