靶材用钼铌合金板的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种靶材用钼铌合金板的制备方法。其特点是，包括如下步骤：首先将钼粉和铌粉按照5～15：85～95的质量比混合得到混合粉，将该混合粉压成合金坯，然后进行烧结，烧结过程中通入氢气进行保护，当烧结温度到1000℃保温2～3小时，再升温到1700℃保温2～3小时，然后升温到1950℃保温8～10小时，最终烧结成合金坯状，再经过1200～1400℃高温煅造后在1500～1600℃下轧制成板材即可。本发明专利技术提供了一种成本低廉，质量等各方面能满足要求的靶材用钼铌合金板的新方法，产品主要应用于平板显示器等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种靶材用钥铌合金板的制备方法。
技术介绍
钥铌合金板靶材具有高熔点，高温强度和高温韧性，并且抗热性能和导热导电性能，热膨胀系数小的特点。与纯钥靶材相比，在钥中添加一定比例的铌元素后可使液晶显示频的像素提高或扩大两倍以上，使长电极大显屏清晰度高、信息容量高、分辨能力高。钥合金靶材作为制备平面显示金属电极用材料，市场需求大，全球市场每年约为100亿元。钥溅射靶材是钥行业的新兴、高端产品，产品要求密度大、纯度高、组织均匀、生产工序长，具有很高的技术含量。该领域基本被奥地利的普兰西(？13118的)、德国的《.(:斯达克(H.C Starck)和贺力氏(Heraeus)、日本的日立金属(HitachMetal)等国际巨头所垄断。钥合金溅射靶材可在各类基材上形成薄膜，这种溅射膜广泛用作电子元件和电子产品，如目前广泛应用的薄膜半导体管一液晶显示器(Thin Film Transitor-LiquidCrystal Displays)、等离子显示屏、有机光发射二极管、无机光发射二极管显示器、场发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体装置以及具有可调谐功函数CMOS (互补金属氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材用钼铌合金板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先将钼粉和铌粉按照5～15：85～95的质量比混合得到混合粉，将该混合粉压成合金坯，然后进行烧结，烧结过程中通入氢气进行保护，当烧结温度到1000℃保温2～3小时，再升温到1700℃保温2～3小时，然后升温到1950℃保温8～10小时，最终烧结成合金坯状，再经过1200～1400℃高温煅造后在1500～1600℃下轧制成板材即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国启，扈百直，孙本双，王东新，钟景明，李彬，李海军，吴红，罗丹，刘创红，刘兆刚，李军义，岳坤，郑金凤，孙磊，
申请(专利权)人：宁夏东方钽业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：