低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷制造技术

本发明专利技术公开了一种低温烧结大功率铁电锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其质量百分比含量为：以Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+0.15wt%SrCO3+0.15wt%MnO2为基础，外加xwt.%CuO，其中x=0.05～1.5；本发明专利技术采用传统的固相合成方法，于900℃~1100℃烧结。本发明专利技术实现了低温烧结，其成分及步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高，非常适用于制备单层或多层结构（独石结构）的压电变压器及换能器，具有很大的市场价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于以成分为特征的陶瓷组合物，尤其涉及一种低温烧结大功率锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷材料。
技术介绍
压电陶瓷是一种能将机械能和电能相互转化的功能陶瓷，属于无机非金属材料范畴。压电陶瓷材料由于具有优异的介电性和压电性能，且制备工艺简单、成本低，因此电子陶瓷是一种十分关键的电子信息材料，它广泛应用于换能器、振子、变压器、传感器等领域。PZT基的压电陶瓷具有压电性能好、居里温度高、机械性能优良等特点，因此在当今的高性能压电陶瓷中占据主导的地位，但对于PZT基的压电陶瓷来说，其烧结温度大多都在1200°C以上，致使原料中的PbO会挥发，这一方面会造成陶瓷的化学组成会偏离化学计量比，严重影响压电陶瓷的性能，另一方面铅的挥发也会对人体及环境造成不良的影响。在当前的生产中，弥补铅挥发的主要 方法是采用埋烧法、密封烧结法或使PbO过量，这些都不能从根本上消除Pbo的挥发，抑制PbO挥发较为有效的方法是实现压电陶瓷材料的低温烧结，即将压电陶瓷材料的烧结温度降低至PbO挥发的温度以下。二十世纪九十年代以来，压电陶瓷元器件为了适应集成电路表面组装技术(SMT)的需要，正在向小型化、高性能、多功能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温烧结大功率铁电锑锰?锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3，在此基础上外加质量百分比为0.15wt%SrCO3与0.15wt%MnO2，再在上述基础上外加质量百分比为xwt.%CuO，其中x=0.05～1.5。上述低温烧结大功率铁电锑锰?锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法：采用固相合成的方法，先将基础原料于850℃予烧，最终于900℃~1100℃烧结，保温2h。

【技术特征摘要】
1.一种低温烧结大功率铁电锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pbhtl4(Mrv3Stv3)aci5Zra47Tia48O3,在此基础上外加质量百分比为0.15wt%SrC03与0.15wt%Mn02，再在上述基础上外加质量百分比为xwt.%CuO，其中x=0.05 1.5。 上述低温烧结大功率铁电锑锰-锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法:采用固相合成的方法，先将基础原料于850°C予烧，最终于900°C 1100°C烧结，保温2h。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙清池，吴涛，马卫兵，刘志华，王丽婧，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：