一种热释电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种热释电陶瓷材料及其制备方法，所述热释电陶瓷材料具有如下组成通式：Pb[(Ni1/3Sb2/3)x(Zr1-yTiy)1-x]1-φMnφO3，其中：0≤x≤0.10，0.10≤y≤0.25，0≤φ≤0.04，其中x和φ不同时为0。本发明专利技术的热释电陶瓷材料具有稳定而适中的热释电系数、较低的介电常数、较低的介电损耗、较大范围内可调节的电阻率，可望应用于非制冷红外探测领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于信息功能材料

技术介绍
热释电效应是指具有自发极化的材料在温度变化后产生电荷的效应，可直接用于红外探测、热-电能量转换、热焦耳应用等方面，常用热释电材料涵盖单晶、陶瓷、高分子等种类。通过热释电材料不同物理参数的组合可以获得不同评价材料热释电性能的新参数，即所谓的优值因子(Figure of Merit，FoM)。通常使用的优值因子FoM如下 1.电压优值因子Fv=p/(cε ε0)； 2.电流优值因子=Fi=PA; 3.探测度优值因子FD=p/c( ε ε 0tan δ )1/2。上述各式中p为材料的热释电系数，c为材料的体积热容，ε为材料在使用频率的相对介电常数，^为真空介电常数，tan δ为材料在使用频率的介电损耗。Fv适用于探测兀电容远大于放大器电容的场合，即Cd >> Ca ；Fi适用于Cd << Ca的情况。若Cd与Ca相差不大，用Fd描述材料性能最为恰当。总的来说，材料的热释电系数和介电性能对器件响应有着至关重要的影响。几乎所有的商用热释电陶瓷材料都基于钙钛矿结构陶瓷的改性，如锆钛酸铅(Pb (ZrxTi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热释电陶瓷材料，其特征在于，具有如下组成通式：Pb[(Ni1/3Sb2/3)x(Zr1?yTiy)1?x]1?φMnφO3，其中：0≤x≤0.10，0.10≤y≤0.25，0≤φ≤0.04，其中x和φ不同时为0。

【技术特征摘要】
1.一种热释电陶瓷材料，其特征在于，具有如下组成通式Pb [ (Nil73Sb273) x (Zr1^yTiy)! J !-^11^3,其中0 彡 X 彡 0. 10,0. 10 ^ y ^ 0. 25,0 ≤ (j5≤0.04，其中X和小不同时为O。2.根据权利要求1所述的热释电陶瓷材料，其特征在于所述热释电陶瓷材料的介电损耗小于0. 02。3.根据权利要求1或2所述的热释电陶瓷材料，其特征在于，所述热释电陶瓷材料的探测率优值为(5. 5 12. 2) X KT5Pa-2。4.根据权利要求1 3中任一项所述的热释电陶瓷材料，其特征在于，所述热释电陶瓷材料在25°C和IkHz的测试频率下极化后的介电常数为211 402。5.根据权利要求1 4中任一项所述的热释电陶瓷材料，其特征在于，所述热释电陶瓷材料的热释电系数为(3. 2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭少波，董显林，王根水，姚春华，曹菲，杨冰冰，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：