一种钛锰共掺杂三族钼酸盐发光材料，其化学式为Re2(MoO4)3:xTi4+，yMn4+，其中Re2(MoO4)3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。该钛锰共掺杂三族钼酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该钛锰共掺杂三族钼酸盐发光材料的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
钛锰共掺杂三族钼酸盐发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料、其制备方法、钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显不器的钛猛共掺杂三族钥酸盐发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料、其制备方法、钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，其化学式为Re2 (MoO4)3: xTi4+，yMn4+，其中Re2(MoO4)3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X为0.θθ.05，y为0.005、.03，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤:根据Re2 (MoO4) 3:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 Re2O3, MoO3, TiO2 和 MnO2 粉体并混合均匀，其中 X 为 0.θθ.05，y 为 0.005~0.03，Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 Tl2O3 ；及将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时即得到化学式为Re2(MoO4)3:xMn4+, yTi4+的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，Re为铝离子，镓离子，铟离子或韦它尚子。一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜，该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Re2(MoO4)3:xMn4+, yTi4+，其中Re2 (MoO4) 3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X为0.01?.05, y为0.005^0.03, Re为招离子,镓离子,铟离子或铭离子。一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤:根据Re2 ( MoO4) 3:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 Re2O3, MoO3, TiO2 和 MnO2 粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中x为0.θθ.05，y为 0.005~0.03, Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 Tl2O3 ；将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0 X IO-3Pa~1.0 X IO-5Pa;及调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250 °C~750 °C，激光能量为50W~500W，接着进行制膜，得到化学式为Re2 (MoO4)3:xMn4+, yTi4+的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。在优选的实施例中，所述真空腔体的真空度为5.0X10_4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为2Pa，工作气体为氧气，工作气体的流量为25SCCm，衬底温度为500°C，激光能量为300W。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的化学式为Re2 (MoO4) 3:xMn4+, yTi4+，其中Re2 (MoO4) 3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X为0.01?.05, y为0.005^0.03, Re为招离子,镓离子,铟离子或I它离子。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的化学式为Re2 (MoO4) 3:xMn4+, yTi4+，x为0.θ1~θ.05，y为0.005、.03，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子；在所述发光层上形成阴极。在优选的实施例中，所述发 光层的制备包括以下步骤:根据Re2 (MoO4) 3:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 Re2O3, MoO3, TiO2 和 MnO2 粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中，x为0.θ1~θ.05，y为 0.005~0.03, Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 Tl2O3 ；将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa~1.0X KT5Pa ；调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250 °C~750 °C，激光能量为50ff^500ff,接着进行制膜，在所述阳极上形成发光层。上述钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料(Re2 (MoO4)3:xMn4+, yTi4+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。【附图说明】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的XRD图；图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的关系曲线图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料、其制备方法、钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。—实施方式的钛猛共掺杂三族钥酸盐发光材料，其化学式为Re2 (MoO4) 3:xMn4+，yTi4+，其中Re2(MoO4)3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005 0.03, Re为招尚子,嫁尚子,铟尚子或铭尚子。优选的，X为 0.03，y 为 0.01。该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料中Re2(MoO4)3是基质，锰离子和钛离子是激活元素。该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。上述钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤:步骤S11、根据 Re2(MoO4)3:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 Re2O3, MoO3, TiO2和 MnO2 粉体，其中 X 为 0.01 ~0.05，y 为 0.005~0.03，Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 T1203。该步骤中，优选的，X为0.03，y为0.01。步骤S12、将混合均的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时即可得到钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，其化学式为Re2(MoO4)3:xMn4+, yTi4+，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种钛锰共掺杂三族钼酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为Re2(MoO4)3:xTi4+，yMn4+，其中Re2(MoO4)3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。
【技术特征摘要】
1.一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，其特征在于:其化学式为Re2 (MoO4)3: xTi4+，yMn4+,其中Re2 (MoO4) 3是基质，猛离子和钛离子是激活元素，x为0.01?.05, y为0.005 0.03, Re为招尚子,嫁尚子,铟尚子或铭尚子。2.—种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据Re2 (MoO4)3IxTi4+, yMn4+各元素的化学计量比称取Re2O3, MoO3, TiO2和MnO2粉体并混合均匀，其中 X 为 0.Ο1-Ο.05，y 为 0.005~0.03，Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 Tl2O3 ;及将混合均匀的粉体在900 °C~1300 °C下烧结0.5小时-5小时即得到化学式为Re2(Mo04)3:xTi4+, yMn4+的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光材料，Re为铝离子，镓离子，铟离子或韦它尚子。3.—种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜，其特征在于，该钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Re2 (MoO4)3IxTi4+, yMn4+，其中Re2 (MoO4) 3是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X为0.01?.05, y为0.005^0.03, Re为招离子,镓离子,铟离子或铭离子。4.一种钛锰共掺杂三族钥酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据Re2 (MoO4)3IxTi4+, yMn4+各元素的化学计量比称取Re2O3, MoO3, TiO2和MnO2粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中，x为0.0f 0.05，y为0.005~0.03, Re2O3 为 Al2O3, Ga2O3, In2O3 或 Tl2O3 ； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0 X KT3Pa~1.0 X KT5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250 °C~750 °C，激光能量为50W~500W，接着进行制膜，得到化学式为Re2 (MoO4)3: xTi4+，yMn4+的钛锰共掺杂三族钥酸盐发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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