一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，其化学式为Me2-x-yB5O9Cl：xMn4+,yTi4+，其中Me2-x-yB5O9Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Me为Mg,Ca,Sr,Ba或Zn。该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
猛钦共慘杂親《棚目S盐发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料、其制备方法、锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该 课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种 可应用于薄膜电致发光器件的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料、其制备方法、锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，其化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X为0.θθ.05，y为0.005、.03，Me为Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤:根据Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 MeO，B2O3, MeCl2, MnO2 和TiO2粉体并混合均匀，其中X为 0.θθ.05，y为0.005、.03，MeO为氧化镁，氧化钙，氧化锶，氧化钡或氧化锌，MeCl2为氯化镁，氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌；及将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时即得到化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料。一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜，该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X 为 0.θθ.05，y 为 0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤:根据Me2_x_yB509Cl:xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取 MeO，B2O3, MeCl2, MnO2和TiO2粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中x为0.0f0.05,y为0.005^0.03,MeO为氧化镁,氧化钙,氧化银,氧化钡或氧化锌,MeCl2为氯化镁，氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌；将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0 X IO-3Pa~1.0 X IO-5Pa;及调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250°C~750°C，接着进行制膜，得到化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜。在优选的实施例中，还包括步骤:将所述锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜于5000C~800°C下真空退火处理lh~3h。在优选的实施例中，所述真空腔体的真空度为5.0X10_4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25SCCm，衬底温度为500°C。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X 为 0.0I ~0.05，y 为 0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，x为0.θ1~θ.05，y为0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn ;在所述发光层上形成阴极。在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤:根据Me2_x_yB509Cl:xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取 MeO，B2O3, MeCl2, MnO2和TiO2粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中，x为0.0f0.05, y为0.005^0.03,MeO为氧化镁,氧化钙,氧化银,氧化钡或氧化锌,MeCl2为氯化镁，氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌；将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa~1.0X KT5Pa ；调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250°C~750°C，接着进行制膜，在所述阳极上形成发光层。在优选的实施例中，所述发光层的制备还包括步骤:将所述发光层于5000C~800°C下真空退火处理lh~3h。上述锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料(Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。【附图说明】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的XRD图；图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的关系曲线图。【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料、其制备方法、锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。一实施方式的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，其化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。优选的，X为 0.03，y 为 0.01。该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活兀素。该猛钛共掺杂氯硼酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。上述锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤:步骤511、根据1^_!￡_而09(:1:xMn4+, yTi4+各元素的化学计量比称取MeO，B2O3,MeCl2,MnO2和TiO2粉体，其中X为0.01~0.05，y为0.005~0.03，MeO为氧化镁，氧化钙，氧化锶，氧化钡或氧化锌，MeCl2为氯化镁，氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌。该步骤中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为Me2?x?yB5O9Cl：xMn4+,yTi4+，其中Me2?x?yB5O9Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Me为Mg,Ca,Sr，Ba或Zn。
【技术特征摘要】
1.一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料，其特征在于:其化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。2.—种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:根据 Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 MeO，B2O3, MeCl2, MnO2 和 TiO2粉体并混合均匀，其中X为0.0f0.05, y为0.005^0.03, MeO为氧化镁,氧化|丐，氧化银,氧化钡或氧化锌，MeCl2为氯化镁，氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌；及 将混合均匀的粉体在900 °C~1300 °C下烧结0.5小时飞小时即得到化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光材料。3.—种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜，其特征在于，该锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+，其中Me2_x_yB509Cl是基质，锰离子和钛离子是激活元素，X 为 0.0I ~0.05，y 为 0.005~0.03，Me 为 Mg, Ca, Sr, Ba 或 Zn。4.一种锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:根据 Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+ 各元素的化学计量比称取 MeO，B2O3, MeCl2, MnO2 和 TiO2粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时飞小时制成靶材，其中，x为0.θ-θ.05，y为0.005^0.03,MeO为氧化镁,氧化|丐，氧化银,氧化钡或氧化锌,MeCl2为氯化镁,氯化钙，氯化锶，氯化钡或氯化锌； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0 X KT3Pa~1.0 X KT5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参 数为:基靶间距为45mnT95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccnT35sccm，衬底温度为250°C~750°C，接着进行制膜，得到化学式为Me2_x_yB509Cl:xMn4+, yTi4+的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜。5.根据权利要求4所述的锰钛共掺杂氯硼酸盐发光薄膜的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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