一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置制造方法及图纸

一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光；(2)用超纯氮气吹硅片表面，控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1～50kpa，持续时间为0.1～10秒；(3)用去离子水冲洗硅片表面。一种控制硅片抛光表面微粗糙度的抛光装置，该抛光装置包括旋转大盘、抛光垫、抛光头、抛光液输送装置及清洗槽，抛光垫贴设在旋转大盘上，抛光头设置在抛光垫的上方，抛光液输送装置设置在旋转大盘的一侧，所述清洗槽的喷水管上连接有超纯氮气输出装置。本发明专利技术可以有效地降低精抛过程中硅片的表面粗糙度即光雾度数值，从而可以制造出高洁净度的硅片，提高产品的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工方法及装置，具体涉及一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置。
技术介绍
单晶硅片是经过晶体生长、切片、研磨、腐蚀、抛光和清洗等过程制造出来的。抛光是硅片切片后，继研磨工序后对其表面进行的第二次机械加工，也是硅片加工技术中必要的基本工序。化学机械抛光(CMP)被公认为是超大规模集成电路阶段最好的材料全局平坦化方法，该方法既可以获得较完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，已经基本取代了传统的多种技术。化学机械抛光的主要目的是为了降低硅片表面在研磨过程中出现的损伤层和表面划伤，获得较好的表面平坦度以及表面形貌，同时得到比较好的表面粗糙度。抛光的过程可以大概分为两大步，即:粗抛和精抛。粗抛主要是采用高抛光速率来优化对应长波长范围的表面形貌，也就是纳米形貌和粗糙度；精抛主要是采用低抛光速率来提高对应短波长范围的表面形貌，即光雾度、微粗糙度，以及减少剩余的表面颗粒数等。目前，超大规模集成电路制造技术已经发展到了 45nm和300mm时代，特征线宽为22nm的技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步微小化，对娃片表面的质量提出了更高的要求。作为抛光的关键步骤，精抛对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光；(2)用超纯氮气吹硅片表面，控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1～50kpa，持续时间为0.1～10秒；(3)用去离子水冲洗硅片表面。

【技术特征摘要】
1.一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，其特征在于:该方法包括以下步骤: (1)将娃片装在抛光机的抛光头上对娃片表面进行抛光； (2)用超纯氮气吹硅片表面,控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1 50kpa，持续时间为0.1 10秒； (3)用去离子水冲洗硅片表面。2.根据权利要求1所述的控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，其特征在于:所述步骤(I) 步骤(3)重复一次至多次。3.一种用于权利要求1所述方法的抛光装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：党宇星，闫志瑞，库黎明，冯泉林，索思卓，盛方毓，
申请(专利权)人：有研半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：