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一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光；(2)用超纯氮气吹硅片表面，控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1～50kpa，持续时间为0.1～10秒；(3)用去离子水冲洗硅片表...
该专利属于有研半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研半导体材料股份有限公司授权不得商用。

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