半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体发光装置，具备：基板，其设有配线图案；半导体发光元件，其搭载在基板的一个主表面上，且与配线图案电连接。基板在上述一个主表面上具有凹凸结构，该凹凸结构使从半导体发光元件向该基板放射的光的至少一部分沿正交于上述一个主表面的方向反射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
发光二极管等半导体发光元件具有小型、耗电少、能稳定地进行高亮度发光的优点。近年来，正逐步将白炽灯等照明设备替换为采用由发出白色光的LED(Light EmittingDiode:发光二极管)构成的发光装置的照明设备。半导体发光元件包括俯视下具有大小约为300 μ m见方的长方体外形的芯片。在该芯片的所有方位上都放射光。由此，在把半导体发光元件用于液晶显示装置的背光或一般照明等情况下，需要将光的放射方向控制在一定方向上。因此，通常在搭载半导体发光元件的安装基板或者封装半导体发光元件的封装件中，使用对从半导体发光元件放射的光的波长具有高反射率的材料。或者，设置反射体等。作为公开了具有反射部件的发光装置的现有文献，有日本特开2005-317592号公报(专利文献I)。专利文献I中记载的发光装置具有:基体，其由俯视下形状为长方形的陶瓷构成；凸部，其跨设在该基体的上侧主表面的相向的长边之间且与短边平行地形成，并在上表面具有发光元件的搭载部。另外，发光装置具有:框状的反射部件，其在下表面形成有凹部，接合于基体的上侧主表面而使凹部与凸部嵌合且包围搭载部，并使内周面构成为反射发光元件发出的光的反射面；导体层，其形成于凸部的上表面并与发光元件电连接。作为公开了发光二极管用封装件的现有文献，有日本特开2006-287132号公报(专利文献2)。在专利文献2记载的发光二极管用封装件中，盖体形成有具有反射面的开口，粘贴在用于安装发光二极管元件的基体的上部。基体及盖体是用气孔直径为0.10 1.25 μ m的氧化铝陶瓷或者气孔率为10%以上的氧化铝陶瓷形成的。仅提高搭载半导体发光元件的安装基板的上表面的反射率，还不能高效地利用从半导体发光元件放射到下方的光。这是因为，如果不把从半导体发光元件放射的光反射到与安装基板的上表面正交的方向上，就不能提高光的利用效率。从半导体发光元件放射到下方的光相对于安装基板的上表面的入射角度小，所以反射到与安装基板的上表面正交的方向上的比例小。因此，还有进一步提高光的利用效率的余地。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高了光的利用效率的半导体发光装置。基于本专利技术的半导体发光装置具备:基板，其设有配线图案；半导体发光元件，其搭载在基板的一个主表面上，且与配线图案电连接。基板在上述一个主表面上具有凹凸结构，该凹凸结构使从半导体发光元件向该基板放射的光的至少一部分沿正交于上述一个主表面的方向反射。在本专利技术一方式中，凹凸结构在俯视下以半导体发光元件为中心呈同心圆状地设有多个。在本专利技术一方式中，凹凸结构在俯视下以半导体发光元件为中心呈同心矩形形状地设有多个。在本专利技术一方式中，凹凸结构在俯视下以半导体发光元件为中心呈同心状地设有多个，且内侧设置成矩形形状，外侧设置成圆形形状。在本专利技术一方式中，基板在俯视下具有大致呈长方形形状的外形，并且还具有包围该基板的边缘的反射部。凹凸结构沿与基板的长度方向正交的方向延伸，且在上述长度方向上相互隔开间隔地设有多个。在本专利技术一方式中，凹凸结构还设置为包围所述半导体发光元件的矩形形状。优选地，凹凸结构设置为不与配线图案同半导体发光元件的连接位置重叠。优选地，凹凸结构从自半导体发光元件的周向侧面离开该半导体发光元件厚度的I倍以上1.5倍以下的距离的位置起分离地形成。在本专利技术一方式中，凹凸结构具有横截面为矩齿状的外形并具有多个倾斜面，该多个倾斜面构成为反射从半导体发光元件放射出的光的反射面。当设半导体发光元件的厚度为H，多个倾斜面中最邻近半导体发光元件的邻近倾斜面同上述一个主表面的交叉线、与半导体发光元件的周向侧面之间的最短距离为L，邻近倾斜面与上述一个主表面所成的内角为Θ时，邻近倾斜面满足2 Θ =90° -tarTWL)的关系。优选地，30。(Θ 彡 45°。在本专利技术一方式中，当设凹凸结`构的横截面中相互邻接的凸部的顶点彼此的间隔为Lp,上述顶点的高度为h,位于上述顶点彼此之间的倾斜面的上述内角为Θ P时，满足Lp=h/tan Θ P的关系。在本专利技术一方式中，凹凸结构由陶瓷构成。在本专利技术一方式中，凹凸结构由金属构成。在本专利技术一方式中，凹凸结构的表面被实施镜面加工。在本专利技术一方式中，凹凸结构的表面由银构成。根据本专利技术，能够提高半导体发光装置的光的利用效率。本专利技术的上述以及其他目的、特征、情况及优点，将通过结合附图理解的本专利技术的以下详细说明而变得明确。附图说明图1是表示本专利技术实施方式I的半导体发光装置的结构的剖视图；图2是从图1的箭头II方向观察到的上述实施方式的半导体发光装置的俯视图；图3是从图1的箭头III方向观察到的上述实施方式的第一变形例的半导体发光装置的俯视图；图4是从图1的箭头IV方向观察到的上述实施方式的第二变形例的半导体发光装置的俯视图；图5是表示从半导体发光元件放射的光的一部分由凹凸结构反射的状态的局部首丨J视图;图6是表示半导体发光元件与凹凸结构的配置关系的局部剖视图7是表示荧光体层中包含的荧光粒子的激发光谱及发光光谱的曲线图8是表示设有配线图案及凹凸结构的基板的结构的局部剖视图9是表示将半导体发光元件以芯片接合的方式接合在基板上的状态的局部剖视图10是表示对半导体发光元件的电极焊盘与基板的接合焊盘进行了引线接合的状态的局部剖视图11是表示在基板上贴附了用于形成荧光体层的止挡部件即挡片的状态的局部首丨J视图;图12是表示在基板上注入了含有荧光粒子的树脂的状态的局部剖视图13是表示将内侧填充有透明树脂的成型金属模与荧光体层相向配置的状态的局部剖视图14是表示利用内侧填充有透明树脂的成型金属模覆盖荧光体层的状态的局部首丨J视图;图15是表示本专利技术实施方式2的半导体发光装置的结构的俯视图16是从图15的XV1-XVI线箭头方向观察到的剖视图17是表示本实施方式的半导体发光装置的封装件的结构的俯视图18是从图17的XVII1-XVIII线箭头方向观察到的剖视图19是从图17的XIX-XIX线箭头方向观察到的剖视图。具体实施方式以下，说明本专利技术实施方式I的半导体发光装置。在以下的实施方式的说明中，对图中的相同或者相当的部分标注相同的附图标记，并且不对其进行重复说明。需要说明的是，在实施方式的说明中，将会为了便于说明而使用上、下、左、右这类表述，但这类表述是基于所示出的附图的，并不限定专利技术的结构。实施方式I图1是表示本专利技术实施方式I的半导体发光装置的结构的剖视图。图2是从图1的箭头II方向观察到的本实施方式的半导体发光装置的俯视图。图3是从图1的箭头III方向观察到的本实施方式的第一变形例的半导体发光装置的俯视图。图4是从图1的箭头IV方向观察到的本实施方式的第二变形例的半导体发光装置的俯视图。如图1所示，本专利技术实施方式I的半导体发光装置100具备:基板110，其设有配线图案；半导体发光元件130，其搭载在基板110的一个主表面即上表面上，且与配线图案电连接。在本实施方式中，半导体发光元件130由荧光体层181覆盖，荧光体层181由透明树脂层182覆盖。荧光体层181和透明树脂层182构成密封部180。基板110由例如陶瓷构成。作为配线图案的一部分，在基板110的下表面上设有电极部170以及与电极部170连接且延伸到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于，具备：基板，其设有配线图案；半导体发光元件，其搭载在所述基板的一个主表面上，且与所述配线图案电连接；所述基板在所述一个主表面上具有凹凸结构，该凹凸结构使从所述半导体发光元件向该基板放射的光的至少一部分沿正交于所述一个主表面的方向反射。

【技术特征摘要】
2011.11.21 JP 2011-2541281.一种半导体发光装置，其特征在于，具备: 基板，其设有配线图案； 半导体发光元件，其搭载在所述基板的一个主表面上，且与所述配线图案电连接； 所述基板在所述一个主表面上具有凹凸结构，该凹凸结构使从所述半导体发光元件向该基板放射的光的至少一部分沿正交于所述一个主表面的方向反射。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述凹凸结构在俯视下以所述半导体发光元件为中心呈同心圆状地设有多个。3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述凹凸结构在俯视下以所述半导体发光元件为中心呈同心矩形形状地设有多个。4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述凹凸结构在俯视下以所述半导体发光元件为中心呈同心状地设有多个，且内侧设置成矩形形状，外侧设置成圆形形状。5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述基板在俯视下具有大致呈长方形形状的外形，并且还具有包围该基板的边缘的反射部； 所述凹凸结构沿与所述基板的长度方向正交的方向延伸，且在所述长度方向上相互隔开间隔地设有多个。6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述凹凸结构还设置为包围所述半导体发光元件的矩形形状。7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述凹凸结构设置为不与所述配线图案同所述半导体发光元件的连接位置重叠。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：井口胜次，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：