电容磨合式芯体制造技术

本实用新型专利技术公布了一种电容磨合式芯体，包括两个对称的电容磨合半桥，所述电容磨合半桥都包括底盘、压环、底座和芯片，其中压环设置于底盘端部，底座设置于底盘凹槽内，芯片设置于底座中，芯片通过金丝与管腿相连，管腿穿过底座后通过导线与外部补偿板连接。本实用新型专利技术采用扩散硅可以形成大量程的差压测量，导线与壳体完全的隔离式使得传感器受外界的干扰影响很小，且焊接比较方便。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容磨合式芯体。
技术介绍
现有技术方案是电容式芯体，电容式芯体是制造压力变送器的核心部件，作为一种高性能的压力敏感元件，采用一体化结构，耐静压值高，稳定、可靠。但是现有的电容式芯体是一体化设计，引出的导线有一根是和壳体相连，对于外界的干扰影响很大而且安装不方便，且量程不能做到很大。
技术实现思路
本技术目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种电容磨合式芯体。本技术为实现上述目的，采用如下技术方案:本技术电容磨合式芯体，包括两个对称的电容磨合半桥，所述电容磨合半桥都包括底盘、压环、底座和芯片，其中压环设置于底盘端部，底座设置于底盘凹槽内，芯片设置于底座中，芯片通过金丝与管腿相连，管腿穿过底座后通过导线与外部补偿板连接。所述管腿与底座之间设置玻璃绝缘子。所述底座周边设置O型圈。所述O型圈为丁氰或氟橡胶。本技术采用扩散硅可以形成大量程的差压测量，导线与壳体完全的隔离式使得传感器受外界的干扰影响很小，且焊接比较方便。附图说明图1:本技术结构示意图。具体实施方式如图1所示，本技术电容磨合式芯体，包括两个对称的电容磨合半桥，所述电容磨合半桥都包括底盘3、压环4、底座5和芯片8，其中压环4设置于底盘3端部，底座5设置于底盘3凹槽内，芯片8设置于底座5中，芯片8通过金丝9与管腿6相连，管腿6穿过底座5后通过导线与外部补偿板I连接。所述管腿6与底座5之间设置玻璃绝缘子7。所述底座5周边设置O型圈。所述O型圈为丁氰或氟橡胶。是将两个电容磨合各取右半桥，通过导线做成一个芯体。电容磨合式芯体是将IL芯片(图中的元件8)通过金丝(图中的元件9)与管腿(图中元件6)相连，管腿通过导线(图中元件12、13、14、15)与外部补偿板(图中元件I)连接，再将底座与底盘(图中元件3)用激光焊接机焊接到一起，然后将底盘、膜片(图中元件11)和压环(图中元件4)通过焊接槽(图中元件10)焊接起来，充油，外加压力通过不锈钢膜片(图中的元件11)内部密封的硅油传递到敏感芯片上，敏感芯片不直接接触被测介质，形成压力测量的全固态结构，实现差压的精确测量，若两边压力差相差不大，数据显示在4mA左右，且很稳定，如果相差太大，数据波动也就大，可用于很多行业。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容磨合式芯体，其特征在于包括两个对称的电容磨合半桥，所述电容磨合半桥都包括底盘（3）、压环（4）、底座（5）和芯片（8），其中压环（4）设置于底盘（3）端部，底座（5）设置于底盘（3）凹槽内，芯片（8）设置于底座（5）中，芯片（8）通过金丝（9）与管腿（6）相连，管腿（6）穿过底座（5）后通过导线与外部补偿板（1）连接。

【技术特征摘要】
1.一种电容磨合式芯体，其特征在于包括两个对称的电容磨合半桥，所述电容磨合半桥都包括底盘(3)、压环(4)、底座(5)和芯片(8)，其中压环(4)设置于底盘(3)端部，底座(5)设置于底盘(3)凹槽内，芯片(8)设置于底座(5)中，芯片(8)通过金丝(9)与管腿(6)相连，管腿(6)穿过底座(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员：高峰，
申请(专利权)人：南京盛业达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：