【技术实现步骤摘要】
一种复合全桥差压测量单元
本技术涉及压力传感领域，特别是一种复合全桥差压测量单元。
技术介绍
目前，普通差压传感器大多只能测量正向压差，即在差压测量单元两端相同静压的基础上正压端大于负压端的压力差，而负压端的压力不能大于正压端，否则差压传感器会损坏。在某些场合，同一个差压传感器，正负压两端受到的压力可能来自不同的压力通道，正压端可能大于负压端，负压端可能大于正压端，因此普通的差压测量单元不能满足此种测量需求，在使用双压力敏感芯片分别独立测量时，电路结构复杂。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种复合全桥差压测量单元，克服现有的单压力敏感芯片实现差压测量时负压端压力不能大于正压端压力， 以及双压力敏感芯片分别独立测量时电路复杂的缺点。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。当正负端压力不相等时，可以输出可正可负的电压信号，该压力信号与压差大小成比例关系。为了保证产品的压力信号与压差大小成比例关系，所述两个压力敏感芯片的灵敏度应调整为相等。与现有技术相比，本技术的有益效果是本技术采用两个压力敏感芯片复合成新的全桥来测量差压，解决了传统差压传感器不能测量负差压以及电路复杂的问题。附图说明图I为本技术一实施例电路原理图；其中I :负压端压力敏感芯片；2 :正压端压力敏感芯片；3 :负压端压力敏感芯片正输出；4 :正压端压力敏感芯...
【技术保护点】
一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，其特征在于，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。
【技术特征摘要】
1.一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，其特征在于，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端...
【专利技术属性】
技术研发人员：金忠，谢贵久，吴迪，龙悦，颜志红，何迎辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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