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本实用新型公开了一种复合全桥差压测量单元,包括两个压力敏感芯片,所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成,位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥,两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空,本实用新型采用两个压力敏...该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种复合全桥差压测量单元,包括两个压力敏感芯片,所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成,位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥,两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空,本实用新型采用两个压力敏...