【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种双面发光的LED芯片，特别是涉及一种采用该双面发光的LED芯片的LED器件。
技术介绍
在现有LED ( Light Emitting Diode,发光二极管)的制造技术中，LED发光器件的封装通常是在蓝光芯片上制作Pn结电极，在电极上打制金线(金线是连接LED芯片与外部接线管脚的连接线)，将芯片电极与外部管脚连接，然后在芯片上涂覆荧光粉，公开日为2006年11月8日、公开号为CN 1858920A的中国专利技术专利申请“一种白光LED灯的封装方法”和公开日为2009年8月26日、公开号为CN 101514805A的中国专利技术专利申请“一种LED封装结构及其实现方法”中对于LED芯片的现有封装方式、封装结构均有较详细的公开和披露；通过对上述资料的分析可知，现有技术路线存在有以下主要缺点:1、所制造的LED器件只能在顶部单向发光，只有一个出光面；2、面向底部的光线需要通过特制的反射层反射，通过顶部发光，其发光效率大大降低；3、单面发光使得目前的LED器件只能是一个半球形光源，极大限制了 LED在应用能力。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种双面发...
【技术保护点】
一种双面发光的LED芯片，包括LED芯片和荧光材料层，所述荧光材料层连接于所述LED芯片的正负两极面上，其特征在于，所述荧光材料层和所述LED芯片的正负两极面之间还设置有导电层，所述导电层包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层涂覆于所述LED芯片的正负两极面上；所述第二导电层涂覆于所述荧光材料层上；所述第一导电层和第二导电层通过共晶反应结合在一起。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁月山，
申请(专利权)人：昆山开威电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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