连结法兰的环状金刚石切割片及其制造方法技术

连结金属法兰的环状金刚石切割片，包括金属法兰（１）和环状金刚石刀体（２），所述的金属法兰（１）具有上、下两端面（１ａ、１ｂ）及可置放旋转轴的中孔（１ｃ），所述的环状金刚石刀体（２）为有中孔（２ｃ）的复合薄层金刚石切割片，其特征在于所述的环状金刚石刀体（２）内侧环（２ａ）上端面经真空扩散焊接在所述的金属法兰（１）外侧环下端面（１ｂ）上，所述的金属法兰（１）外侧环上端面（１ａ）具有经一凹口（１ｄ）沿外径向下延伸的斜面（１ｅ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及切割工具及其制造方法，特别涉及。主要用于制造连结法兰的环状金刚石切割片，用来切割集成电路(IC)、晶体管(TR)、片式电阻、片式电感、片式电容等电子元器件，精密切割光学材料、宝玉石、陶瓷、铁氧体及太阳能硅片等。
技术介绍
在集成电路(IC)、晶体管(TR)划片工序中，需将大晶片分割成具有独立单元的小晶片，而所用的加工工具为金刚石切割片。随着电子元器件和精密材料的发展，对切割精度的要求越来越高，晶片的分割必须使用更薄的切割片才能达到微加工的高准精度要求。常规的金刚石切割片是采用热压法或电镀法制造的。而热压法对于制造这种厚度极薄(100μm以下)的切割片很不适宜。常规的电镀法制造的切割片存在许多不足之处，尤其是组成切割片的基体与胎体两部分是连结而成的，这种连结的方式由电镀沉积来完成。因此种结构，当胎体与基体受到强冲击载荷时两者的分离脱落是不可避免的。国外技术为了解决常规电镀法制造的超薄金刚石切割片所带来的不足，有采用化学气相沉积法首先制得金刚石多晶薄膜环，而后再焊接于基体上，此方法一定程度上改善了切割片的性能，但化学气相沉积法所需设备价格昂贵，制造工艺复杂。为了解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨燕军，段莉萍，熊朝阳，郭铁峰，
申请(专利权)人：杨燕军，
类型：发明
国别省市：